潘元真
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
- 2013年
- 总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要原因。针对此现象,通过引入表面势分量φrad,描述了总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性,对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模,修正了漏电流方程,新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。
- 李斌许跃彬潘元真
- 关键词：总剂量效应浅沟道隔离泄漏电流
- 基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
- 2013年
- 以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的方法,抵消源/漏电压处理方式不同所带来的不对称性;最后推导出新的对称的沟道电流公式.模型验证表明:改进后的模型不但可以准确地模拟器件的特性,而且拥有更高的对称性.改进模型拓宽了BSIM4模型的运用范围,可以更有效地运用于RF集成电路设计和仿真.
- 李斌潘元真许跃彬
- 关键词：集成电路对称性仿真
- 基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
- 随着集成电路工艺的不断进步，RF集成电路设计得到了快速发展，同时也对MOSFET集约模型带来对称性方面的考验。基于阈值电压的BSIM4模型由于能准确、快速地模拟大部分数字、模拟电路，因而得到了广泛的运用。然而，由于BSI...
- 潘元真
- 关键词：对称性
- 文献传递
