许跃彬
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
- 2013年
- 以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的方法,抵消源/漏电压处理方式不同所带来的不对称性;最后推导出新的对称的沟道电流公式.模型验证表明:改进后的模型不但可以准确地模拟器件的特性,而且拥有更高的对称性.改进模型拓宽了BSIM4模型的运用范围,可以更有效地运用于RF集成电路设计和仿真.
- 李斌潘元真许跃彬
- 关键词：集成电路对称性仿真
- 深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
- 2013年
- 总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要原因。针对此现象,通过引入表面势分量φrad,描述了总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性,对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模,修正了漏电流方程,新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。
- 李斌许跃彬潘元真
- 关键词：总剂量效应浅沟道隔离泄漏电流
- 深亚微米CMOS总剂量辐照效应温度模型研究
- 随着航天航空技术的发展，半导体器件及电路在总剂量辐照环境下的特性变化越来越受关注。CMOS器件作为集成电路的重要基本单元，在总剂量辐照应力下会产生显著的退化特性，导致芯片和集成电路失效。本文建立了一个描述CMOS器件在总...
- 许跃彬
- 关键词：总剂量辐照泄漏电流
