王欣娟
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
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- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究被引量：1
- 2008年
- 在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和AlGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高,从而提高器件的电学特性.
- 林若兵王欣娟冯倩王冲张进城郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管肖特基接触
- AlGaN//GaN HEMT肖特基接触技术研究
- 肖特基接触是AlGaN//GaN HEMT的关键因素之一,国内外对其还鲜有研究,本文对AlGaN//GaN异质结上的肖特基接触作了详细的研究。首先,在经典的肖特基电流输运理论基础上,对制作在AlGaN//GaN HEMT...
- 王欣娟
- 关键词：肖特基接触势垒高度退火
- 文献传递
- AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究被引量：4
- 2008年
- 通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算.通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值b.通过分析温度在300—550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论:AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.
- 王欣娟张金凤张进城郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN异质结肖特基结
