杨程
- 作品数：13 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>
- 一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
- 本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)...
- 郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣
- 文献传递
- 基于FPGA的人工神经网络的研究与实现
- 人工神经网络ANNs（Artificial Neural Network）是一个模仿人脑神经网络结构和关系、由物理可实现的大量相互连接的处理单元组成的系统。如今，人工神经网络已经在多个领域得到广泛应用，比如信号处理、医疗...
- 杨程
- 关键词：人工智能BP神经网络激活函数
- 文献传递
- Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
- 李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
- 关键词：短沟道效应阈值电压
- 双轴应变Ge//Si/_/(1-x/)Ge/_x价带结构模型及空穴有效质量研究
- 由于电子和空穴迁移率远高于应变Si，且其与Si工艺有良好的兼容性，Ge及应变Ge将成为16nm及更小特征尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管/(MOSFET/)沟道材料的理想选择。能带结构是应变Ge材料及其器件设计的基础，...
- 杨程
- 文献传递
- 晶圆级单轴应变SOI研究
- 将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
- 戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
- 关键词：集成电路弹塑性力学
- 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
- 郝跃杨程戴显英奚鹏程徐常春王希张瀚中张鹤鸣
- 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
- 郝跃杨程戴显英奚鹏程徐常春王希张瀚中张鹤鸣
- 文献传递
- 机械致单轴应变SOI晶圆的制备被引量：2
- 2012年
- 提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100mm(4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077%,高于文献报道的0.059%.
- 戴显英王琳杨程郑若川张鹤鸣郝跃
- 关键词：绝缘层上硅弹塑性力学
- 应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散模型
- 2012年
- 基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)Ge_x虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matlab模拟结果显示,应变Ge/Si_(1-X)Ge_x价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.
- 戴显英杨程宋建军张鹤鸣郝跃郑若川
- 弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
- 2012年
- 基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
- 戴显英郑若川郭静静张鹤鸣郝跃邵晨峰吉瑶杨程
- 关键词：密度分布
