刘子扬
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法研究
- GaN作为第三代(宽禁带)半导体，正得到日趋广泛的应用，但是由于缺少实用的同质衬底，导致依靠异质外延生长的Ⅲ族氮化物材料具有很高的缺陷密度，晶体质量不高，器件应用受到了不良的影响。所以，材料缺陷对光学电学性质的具体影响和...
- 刘子扬
- 关键词：非极性
- 文献传递
- 非极性a面GaN堆垛层错抑制研究
- 常规的GaN是在极性面c面蓝宝石衬底上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要因为A1GaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁移率的2DEG,这层2DEG是由于异质结中较大的导带不连续性以及较强的极化效应产生的...
- 许晟瑞刘子扬姜腾林志宇周昊张进成郝跃
- 关键词：GAN非极性堆垛层错
- 双沟道AlGaN/GaN异质结构
- 采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,S...
- 付小凡王昊林志宇马俊彩刘子扬张进成郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN
- 高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法
- 本发明公开了一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT的器件及制作方法，主要解决现有增强型器件中阈值电压低和制作工艺中刻蚀损伤大所造成的可靠性低的问题。该器件自下而上包括：衬底、I-GaN层、II-GaN层、AlGaN...
- 张进成陈珂郝跃马晓华王冲付小凡马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 文献传递
- 斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究被引量：2
- 2012年
- 利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制,解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.
- 林志宇张进成许晟瑞吕玲刘子扬马俊彩薛晓咏薛军帅郝跃
- 高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
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