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王晔

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇光导
  • 4篇氧化镓
  • 3篇微波器件
  • 3篇功率二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇低温退火
  • 2篇退火
  • 2篇击穿电压
  • 2篇半绝缘
  • 2篇掺杂
  • 1篇倒圆角
  • 1篇电极
  • 1篇电力
  • 1篇电力系统
  • 1篇电阻
  • 1篇调制
  • 1篇虚拟仪器
  • 1篇阳极
  • 1篇阵列
  • 1篇石墨

机构

  • 10篇西安电子科技...

作者

  • 10篇王晔
  • 8篇马晓华
  • 8篇陆小力
  • 5篇何云龙
  • 3篇王旭
  • 3篇张方
  • 3篇郝跃
  • 3篇郑雪峰
  • 2篇刘海生
  • 2篇谢敏
  • 1篇王丹

年份

  • 6篇2025
  • 2篇2022
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于三角形倒圆角状的光导开关器件及制作、封装方法
本发明公开了一种基于三角形倒圆角状的光导开关器件及制作、封装方法，主要解决现有技术光导开关器件的光能利用率低的问题。其包括半绝缘衬底(1)、反射镜(2)，金属电极(3)，外连接电极(4)和封装材料(5)，该所述半绝缘衬底...
陆小力刘海生马晓华谢敏郎锦涛王晔何云龙
基于Intel PXA270的嵌入式流媒体系统的设计研究
本论文以互联网、流媒体和嵌入式应用这三种技术的结合为背景，在研究这三者基本原理和特点的基础上，提出了嵌入式流媒体系统解决方案。论文首先概述性地介绍了流媒体背景知识，然后重点讨论了流媒体传输的相关问题，包括传输的原理、实现...
王晔
关键词：流媒体传输实时传输协议RTCP协议
文献传递
石墨烯多插层SiC光导微波器件及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯多插层碳化硅光导微波器件及其制备方法，解决了传统光导开关表面闪络击穿、衬底电流密度过大及寿命不足的技术问题。本发明衬底采用多层碳化硅和石墨烯交替堆叠设计，衬底内每两个碳化硅半绝缘材料层与石墨烯插层构...
陆小力王臻华王晔郎锦涛王旭陈恒亮马晓华
同步触发异面电极并联结构的光导微波器件及制作方法
本发明公开了一种同步触发异面电极并联结构的光导微波器件及制备方法，主要解决现有光导器件在高频下输出功率低的问题，其包括光导器件(10)、阳极连接电极(7)、阴极连接电极(1)。该光导器件通过两个衬底(3，8)垂直堆叠而成...
陆小力王丹郎锦涛王晔王旭陈恒亮马晓华
LabVIEW在电力系统中的应用
介质损耗因数是反映电力电容器、电容型套管、电容型电流互感器、电容式电压互感器等电力网络中高电压电气设备绝缘性能的一项重要指标，通过测量介质损耗角可以监测出绝缘介质的一系列缺陷，如绝缘受潮、裂化变质或局部放电等。旨在阐述变...
王晔
关键词：介损虚拟仪器小波分析SPC
文献传递
一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法
本发明涉及一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；其中，衬底...
马晓华何云龙郑雪峰陆小力张方洪悦华王晔郝跃
一种Mg掺杂的氧化镓光导调制微波器件及其制备方法
本发明公开了一种Mg掺杂且为空穴导电的单极性氧化镓光导调制微波器件，主要解决现有技术中器件耐压低、输出功率小、输出信号频率低的问题。其包括半绝缘衬底(1)，一对欧姆电极(3)，一对电极加厚层(4)和触发源(6)，该半绝缘...
陆小力刘海生王旭王晔朗锦涛陈恒亮马晓华
一种异质PN低开启电压氧化镓功率二极管及其制备方法
本发明涉及一种异质PN低开启电压氧化镓功率二极管及其制备方法，该异质PN低开启电压氧化镓功率二极管，包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层和漂移层和阳极，其中，漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽，凹槽内填充有介质层，介质...
马晓华何云龙郑雪峰陆小力张方洪悦华王晔郝跃
一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法
本发明涉及一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；其中，衬底...
马晓华何云龙郑雪峰陆小力张方 洪悦华王晔郝跃
基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法
本发明公开了一种基于纳米微球阵列的光导开关及制备方法，主要解决现有光导开关光能利用率低下的问题。其包括半绝缘衬底(1)，两个金属电极(2)，两个外连接电极(3)和纳米微球阵列(4)，其中，两个金属电极分布在半绝缘衬底表面...
陆小力陈恒亮马晓华谢敏何云龙郎锦涛王晔
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