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曹余录

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇KA波段

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇王淑君
  • 1篇曹余录
  • 1篇袁明文

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ka波段高电子迁移率晶体管的研制
1993年
介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。
王淑君曹余录黄常胜袁明文
关键词：KA波段晶体管迁移率
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共1页<1>
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