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王淑君

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇跨阻放大器
  • 1篇集成电路
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇DC
  • 1篇KA波段
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇王淑君
  • 2篇袁明文
  • 1篇曹余录

传媒

  • 2篇半导体情报

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ka波段高电子迁移率晶体管的研制
1993年
介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。
王淑君曹余录黄常胜袁明文
关键词：KA波段晶体管迁移率
DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器
1995年
介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。
袁明文王淑君王福兴梁广军
关键词：单片集成电路砷化镓跨阻放大器
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