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吕英杰

作品数：41 被引量：98H指数：6
供职机构：南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
发文基金：天津市科技发展战略研究计划项目国家科技支撑计划天津市科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇中文期刊文章

领域

  • 37篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电路
  • 6篇CMOS
  • 5篇稳压
  • 5篇芯片
  • 4篇电压
  • 4篇振荡器
  • 4篇时钟
  • 4篇锁相
  • 4篇锁相环
  • 4篇稳压器
  • 4篇线性稳压器
  • 4篇放大器
  • 3篇低电压
  • 3篇电池
  • 3篇跨导
  • 3篇集成电路
  • 3篇功耗
  • 3篇RFID
  • 3篇LDO
  • 2篇等效电路

机构

  • 41篇南开大学
  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇桂林电子科技...
  • 2篇天津工业大学
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇电子工程学院

作者

  • 41篇吕英杰
  • 35篇戴宇杰
  • 35篇张小兴
  • 4篇樊勃
  • 3篇程兆贤
  • 3篇陈力颖
  • 3篇王洪来
  • 3篇韦保林
  • 2篇郭桂良
  • 2篇张桂英
  • 2篇韩蕾
  • 2篇姜宇
  • 2篇黄维海
  • 2篇刘慧敏
  • 2篇王丹
  • 2篇冯伟
  • 1篇杨俊焱
  • 1篇罗翼
  • 1篇阎跃鹏
  • 1篇封家敏

传媒

  • 21篇南开大学学报...
  • 5篇微电子学与计...
  • 5篇微纳电子技术
  • 3篇微电子学
  • 2篇天津工业大学...
  • 2篇中南大学学报...
  • 1篇电讯技术
  • 1篇电视技术
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 6篇2010
  • 10篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
RFID中EEPROM时序及控制电路设计被引量：4
2008年
RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。
程兆贤戴宇杰张小兴吕英杰樊勃
关键词：电可擦可编程只读存储器控制电路模拟仿真
PCIE2.0中8b/10b编码器的实现与扩展被引量：9
2019年
针对用于PCIE2.0物理层的8b/10b编码器及其扩展的16b/20b编码器,设计了一种新的实现方式.将8b/10b编码分为5b/6b编码和3b/4b编码两个子模块,根据PCIE2.0协议中规定的编码表采用极性分组和卡诺图化简的方式得到子模块逻辑表达式并组合实现8b/10b编码.然后分析了由其扩展的16b/20b编码器中3种不同流水线级数的实现方式,使用Synopsys的Design Compiler工具在SMIC55 nm工艺下进行综合,在250 M时钟频率下的组合逻辑资源面积仅为223μm^2,并根据综合结果分析了流水线级数对编码器性能的影响.
蔡万楼赵建中吕英杰
关键词：高速接口
一种高精度CMOS带隙基准电路的设计
2009年
采用ASMC0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿。通过对其进行仿真验证,当温度在-40～125℃和电源电压在1.6～5V时,输出基准电压具有3.68×10-6/℃的温度系数,Vref摆动小于0.094mV;在低频时具有-114.6dB的PSRR,其中在1kHz时为-109.3dB,在10kHz时为-90.72dB。
张红丽张小兴戴宇杰吕英杰
关键词：带隙基准温度补偿电源抑制比
改进型CIC抽取滤波器设计与FPGA实现被引量：2
2009年
为了改善级联积分梳状(CIC)滤波器通带不平和阻带衰减不足的缺点,给出一种改进型CIC滤波器。该滤波器在采用COSINE滤波器提高阻带特性的基础上,级联了一个SINE滤波器,补偿了其通带衰减。硬件实现时,采用新的多相分解方法结合非递归结构,不仅大大减少了存储单元数量,还使电路结构更加规则。经仿真和FPGA验证,改进型CIC滤波器使用较少硬件,实现了阻带衰减100.3 dB,通带衰减仅为0.0001 dB。
张杰戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：CIC抽取滤波器FPGA
一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器
2010年
设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12dB。
韦保林戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：低电压
一种高压、低功耗、瞬态响应增强型CMOS线性稳压器(英文)
2010年
提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流.
王本川戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：稳压器LDO瞬态响应
电荷泵锁相环系统相位噪声分析被引量：5
2008年
阐述了基于无线通信领域中的锁相环的系统结构,并以电荷泵锁相环为例分析了锁相环中两类主要噪声对环路造成的影响,并推导了环路对噪声的线性过滤性能,基于推导的结果给出了减小环路噪声的几种解决方法.
毕胜兰戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：电荷泵锁相环
基于ZigBee接收机的2.4 GHz CMOS LNA的设计被引量：2
2008年
采用 SMIC0.18μm RF-CMOS 工艺,设计了一种符合 IEEE802.15.4标准,应用于 ZigBee 射频接收机前端的2.4 GHz 低噪声放大器(LNA),详述了该优化电路结构的设计原理,并给出了仿真结果.仿真结果表明,该 LNA 在5mW 的较低功耗下,可实现较低的噪声系数(NF=2.9 dB),较大的增益(11.3 dB)和良好的非线性度(IIP3=1.75 dBm),完全满足 ZigBee 应用的要求.
丁冲戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：低噪声放大器ZIGBEECMOS
0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
2011年
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18μm工艺,工作电压1.8 V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
程兆贤张小兴戴宇杰吕英杰陈力颖
关键词：RFIDEEPROM漏电流
一种自给基准参考电压的前置稳压器设计与研究被引量：1
2016年
设计1种可实现自给基准参考电压的前置稳压器.提出1种新的电路结构,该电路结构由前置稳压电路和基准参考电压产生电路组成.前置稳压电路输出稳定电压为芯片其他模块提供稳定电压,基准参考电压产生电路输出与电源无关的基准参考电压,作为前置稳压电路的参考电压,通过反馈机制,实现稳定输出,从而为芯片在供电电压波动较大的情况下,提供稳定电压.采用BCD工艺模型对电路进行仿真,仿真结果证明此种稳压器的线性调整率为0.008%,负载电流由0上升至100 m A时,负载调整率是1.18%,当频率为10 k Hz时,电源纹波抑制比为-58 d B,频率为40 k Hz时,抑制比为-29.7 d B.
冯伟戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：误差放大器功率输出
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