吴锦华
- 作品数：16 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 铝酸钇(YAlO_3)晶体熔料中碳化铝(Al_4C_3)的形成、作用和除去被引量：2
- 1992年
- 用化学模拟合成方法证实,在YAlO_3晶体熔料中的碳杂质在缺氧和高温下,与Al_2O_3形成另一类杂质碳化铝(Al_4C_3)。这种碳化铝在晶体生长中引发气泡和光弥散颗粒(<1μm)。研究了熔料碳含量与晶体光弥散的关系。用通过纯化空气流加热除碳法,制备出碳含量为120～200×10^(-8)的熔料,并生长出无气泡和无光弥散区的长度在150mm以上Nd:YAlO_3单晶。
- 吕坚郭喜彬李敢生吴锦华施真珠
- 关键词：铝酸钇晶体熔料
- 多波长Er^(3+):YAlO_3激光的偏振特性被引量：2
- 1989年
- 本文从实验上研究了掺杂10at%Er^(3+)离子a轴Er^(3+)YAlO_3(Er:YAP)激光器同时起振的2.7110μm,2.7299μm和2.7950μm三条谱线的偏振特性,发现2.7110μm和2.7950μm激光为线偏振光,其偏振方向平行结晶的b轴方向。2.7299μm激光为部分偏振光,椭圆的长轴沿结晶的c轴方向。文中给出了三者的输出特性。
- 于桂芳沈鸿元周玉平黄呈辉曾瑞荣曾政东施真珠吴锦华
- 关键词：激光器偏振特性
- 铝酸钇熔体的预处理对光弥散的影响
- 1991年
- 我们对铝酸钇原料合成条件进行了大量的研究分析,发现了原料中存在有Al_(4)C_(3)的化合物,其含量少则100~200ppm,多则>500ppm。用这种原料进行晶体生长时,由于Al_(4)C_(3)在高于1900℃的熔体中会不断地分解成单质铝和碳(即Al_(4)C_(3)→4Al+3C);同时注意到,游离的碳在高温下是一种强的还原剂,它在熔体中也有可能向相对易解离的组分-Al_(2)O_(3)夺氧形成:C+Al_(2)0_(3)高温,缺氧Al_(2)0+CO_(2)↑。
- 李敢生吕坚施真珠陈莹吴锦华肖春明
- 关键词：铝酸钇高温分解预处理碳还原
- 掺杂Ce^(3+)对Nd^(3+):YAP晶体光谱特性的影响
- 1991年
- 采用中性氮气氛下生长Ce^(3+)掺杂的Nd^(3+):YAP单晶中,Ce^(3+)的分布系数相当大(0.48),从该晶体的紫外光谱特性研究中发现在220~320nm区具有强的宽带吸收,用紫外光源(例316nm)激励时,就有350~430nm,中心波长位于380nm的很强的荧光发射,该荧光带刚好与Nd^(3+)离子在350~365nm的吸收带(^(4)D_(5/2)、^(4)D_(1/2)、^(4)D及^(2)L_(15/2))很好地重叠。
- 李敢生陈莹吴锦华陈金凤洪桂仙
- 关键词：CE掺杂
- 掺铒铝酸钇(Er^(3+):YAlO_3)单晶生长被引量：2
- 1990年
- 开拓新波段的应用是现今固体激光器发展方向之一。掺铒铝酸钇(Er^(3+):YAlO_3)激光晶体是1.66μm及2.7—2.9μm波段固体激光器重要工作物质。本文着重描述Er^(3+)YAlO_3原料硝酸去水、氮气氛加少量氧以及熔体过热等对生长的晶体质量的影响。
- 李敢生吕坚吴锦华杨桦
- 关键词：晶体生长熔体过热铝酸钇
- 采用近、远场Fresnel图检查YAP棒的质量
- 1991年
- 我们参考了Moleltron公司W·D·Fountain在Lawrence Livermore国家实验室检查激光棒质量的装置设计,建立了适合于检查YAP激光棒质量的近、远场Fresnel图样分布的测试装置。所谓Fresnel图样指用具有一定强度的He-Ne偏振光源经扩束并通过小孔后在近场或远场投影所显示出绕图样中心的环形结构。
- 吴锦华齐忠谋李敢生陈莹洪桂仙
- 钛酸钡锶(Ba_(1-x)Sr_(x)TiO_(3))晶体的后加工和单畴化工艺
- 1991年
- Ba_(1-x)Sr_(x)TiO_(3)(BST)晶体是一种混合氧化物晶体。当x<0.3时该晶体在室温下是四方铁电相,空间群P4mm—C_(■)^(1);当温度升高通过居里点后,变为立方顺电相,空间群Pm3m-Oh'。室温四方相的BST晶体已证实是一种优良的光折变材料。用引上法生长的晶体,必须经过退火处理、定向切割、研磨抛光和单畴化。
- 翁雅英高宪成吕坚黄亦好吴锦华陈黎娜庄健
- 关键词：后加工
- ^(60)Co照射正电子湮没研究YAP晶棒芯部固有结构缺陷
- 1992年
- 本文通过^(60)Co 的γ照射及正电子湮没寿命谱学测量,研究了1%Nd:YAP晶棒芯部的固有结构缺陷及其“浸泡”前后的变化规律,说明了“浸泡”工艺是改善芯部缺陷的一种好手段。通过1100℃ H_2中10h 退火实验,虽然有褪白效应,然而,副效应是大的。
- 史子康吴锦华
- 关键词：晶体缺陷
- 用“浸泡”技术提高Nd:YAP晶体质量被引量：3
- 1990年
- 在用引上法生长Nd:YAP单晶中引入“浸泡”工艺后,可使晶体减少应力,降低散射颗粒等缺陷密度。本文首次用正电子湮没技术揭示了有、无“浸泡”生长的Nd:YAP晶体质量与正电子湮没寿命谱之间的关系。为正确使用“浸泡”工艺、改善YAP晶体质量提供了参考依据。
- 吴锦华施真珠史子康
- 关键词：ND:YAP单晶提拉法钙钛矿型
- “体积补偿”掺杂的Lu_αNd_βY_(1-α-β)AlO_3晶体生长与表征的研究被引量：1
- 1990年
- 根据“体积补偿”(VC)公式计算了Lu_αNd_βY_(1-α-β)Alo_3晶体中掺质离子Lu^(3+)和Nd^(2+)的质佳浓度比(μ/β)。生长了各种不同的α和β值的Lu_αNd_βY_(1-α-β)AlO_3[(简称(Lu^(3-),Nd^(3+)):yAlO_3]单晶,并对它们的晶格参数、光学均匀性、散射颗粒密度、光谱特性及激光性能做了测了测量和比较。发现了用“VC”掺杂的Lu_αNd_βY_(1-α-β)AlO_3晶体的光学质量得到了改善。
- 李敢生吴锦华郭喜彬吕坚杨桦
- 关键词：镥钕钇
