史子康
- 作品数：33 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术环境科学与工程更多>>
- 用^(22)Na的正电子测量固体表面膜的寿命谱学技术被引量：1
- 1993年
- 以薄金属膜为例,全面地阐述在等温和金属原子所占空间体积不变的条件下,用^(22)Na的正电子测量固体表面膜的寿命谱学法的原理和实用技术。
- 史子康
- 关键词：正电子
- 用正电子湮没研究β-BaB_(2)O_(4)晶体缺陷
- 1991年
- 实验测试用的BBO单晶样品由熔盐提拉法生长,晶体直径为48mm,厚为15mm;生长条件。沿c轴方向拉速为0.6-0.8mm/d,转速5r/min,降温速度为0.8-1℃/d。在晶体进行上下部各切取厚1mm并与生长方向垂直的薄片,双面抛光;然后对几个样品不同部位分别测量。放射源为^(22)Na。晶体在670℃左右恒温6小时退火。
- 林翔唐鼎元史子康
- 关键词：正电子湮没
- 正电子湮没技术研究Nd:YAP单晶色心
- 1992年
- 通过e^+湮没寿命谱学测试,研究了^(60)Co照射、脉冲氙灯照射及氢气中高温退火对色心的影响。建立了一种测量无色心晶体固有结构缺陷的新方法。
- 史子康
- 关键词：ND:YAP正电子湮没
- 用正电子湮没寿命谱学法研究“浸泡”工艺对Nd∶YAP晶棒质量影响被引量：1
- 1991年
- 报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd∶YAP单晶中引入的“浸泡”工艺对晶体质量的影响,证实了“浸泡”工艺可以改善晶体质量.
- 史子康
- 关键词：ND:YAP正电子湮没
- 磺酸水杨酸二钠单晶正电子湮没研究被引量：1
- 1990年
- 本文用正电子湮没谱学法研究磺酸水杨酸二钠单晶,测出单晶极性正负方向和极性电动势,并将电导性能,结构、生长联系起来。通过热处理前后α轴方向样品的正电子湮没研究,了解晶体内部缺陷运动规律。
- 史子康
- 关键词：磺酸单晶正电子湮没
- 14烷酸铅(LM)皂膜晶体的正电子湮没寿命谱学法研究
- 1992年
- 本文用正电子湮没寿命谱学法研究石英片上LM皂膜的晶体质量。发现制膜工艺对质量影响很大,并分析了影响质量的原因。最后提出了合理的热处理有可能提高LM晶体膜质量。
- 史子康俞贤椿
- 关键词：晶体LM正电子湮没
- β-BaB_2O_4晶体缺陷的正电子湮没研究被引量：1
- 1993年
- 该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB_2O_4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.
- 林翔唐鼎元史子康
- 关键词：晶体缺陷正电子湮没
- 测量具有较长寿命的任意样品的寿命谱确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法研究
- 1989年
- 本文在研究高斯拟合６０Ｃｏ分辨程序物理的基础上，进一步阐明通过测量具有较长 寿命的任意样品的寿命谱，确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法．
- 程利青史子康
- 关键词：正电子湮没分辨率
- Gd_2O_3-MgF_2膜的正电子湮没研究
- 2000年
- 用 2 2 Na正电子湮没寿命谱学法检测石英片上 Gd2 O3Mg F2 膜 .阐明了正电子湮没参数和膜结构的关系 .
- 官月英史子康
- 关键词：正电子湮没膜结构
- 用正电子湮没寿命谱学法研究DKDP单晶缺陷形成机理被引量：1
- 1992年
- 本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。
- 史子康官月英
- 关键词：DKDP晶体正电子湮没
