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张秋

作品数：19 被引量：20H指数：3
供职机构：中国电子技术标准化研究院更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 4篇交通运输工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇元器件
  • 3篇碳化硅
  • 3篇汽车
  • 3篇分立器件
  • 3篇SIC
  • 3篇MOSFET
  • 2篇中国代表团
  • 2篇汽车电子
  • 2篇键合
  • 2篇功率模块
  • 2篇封装
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体分立器...
  • 2篇IEC
  • 1篇电极
  • 1篇电极玻璃
  • 1篇电器
  • 1篇电子工业
  • 1篇电子技术标准...
  • 1篇电子元

机构

  • 19篇中国电子技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 19篇张秋
  • 2篇刘芳
  • 1篇李锟
  • 1篇李博
  • 1篇吴维丽
  • 1篇朱茗

传媒

  • 18篇信息技术与标...
  • 1篇标准科学

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析被引量：4
2012年
介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准。
李锟张秋
关键词：EEPROM非易失性存储器耐久
国内外铜线键合拉力试验方法标准对比分析
2023年
为满足铜线键合拉力试验需求,从拉力施加位置、失效模式分类、最小拉力值以及试验结果的应用等4个方面对国内外铜线键合拉力试验方法标准的技术内容进行对比分析,并提出国内试验方法的修订建议。
张秋闫美存
关键词：铜线
表面安装元器件安装可靠性研究
2018年
通过分析研究影响表面安装元器件的安装可靠性因素得知,主要影响来自焊接过程中的热应力、温度冲击带来的机械应力、工作过程中焊点蠕变应力和组件安装或使用过程中遇到的机械应力等,对关键因素的影响得出相关结论并给出了相应案例。
刘芳张秋
关键词：表面安装元器件热应力
SiC MOSFET偏压温度不稳定性阈值电压测试方法研究被引量：1
2022年
SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战,阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极为重要。围绕偏压与温度应力下SiC MOSFET阈值电压测试的问题,分析SiC MOSFET阈值电压漂移特性的影响因素,介绍国外偏压温度不稳定性评估标准的现状,对标准中所有测试方法均进行详细分析,分类归纳总结现有测试方法,分析各类测试方法的优缺点。
闫美存张秋
关键词：阈值电压碳化硅
汽车电子元器件质量保证标准发展动态及需求解析
2025年
为推动我国汽车电子元器件质量保证标准制定工作,对汽车电子元器件质量保证标准制修订动态及制修订需求进行调查和研究,提出当前汽车电子行业标准制修订重点是制定车用显示器、宽禁带半导体、车用存储器、功率模块等新型车用元器件的质量保证标准,以及当前我国汽车电子元器件标准化主要需求是研究并提出适用于电动汽车的元器件应用任务剖面和制定元器件的板级可靠性试验方法。
张秋王珏闫美存
金属电极玻璃封装器件安装强度试验方法研究被引量：3
2014年
介绍了金属电极玻璃封装器件质量评价中存在的问题,确定了引起器件失效的外部应力、内部应力、挤压应力等因素,以及评价金属电极无引线玻璃封装器件安装强度的温度循环试验、弯曲试验和扭曲试验三项试验条件。
张秋
IEC/SC47E和SC47F最新国际提案综述
2018年
2018年6月6-8日，由中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、航天704所的专家组成的中国代表团参加了IEC／SC47E分立器件分技术委员会和SC47FMEMS分技术委员会在美国召开的工作组会议。现将最新凼际提案进行如下梳理。
张秋
关键词：IEC电子技术标准化中国代表团
SiC MOSFET 参数体系及测试方法 研究被引量：3
2021年
通过介绍SiC MOSFET的器件特性,重点研究了与Si基器件有不同特性的关键参数,如阈值电压、体二极管参数及短路参数,提出了全面、科学的SiC MOSFET参数体系;通过分析国内外测试方法现状及其适用性,对与SiC MOSFET自身特性有关的参数,如阈值电压、阈值电压稳定性等参数,进行了测试方法的重点研究。
闫美存张秋
功率模块关键可靠性试验项目分析
2017年
针对目前缺少统一的功率模块关键可靠性考核评价要求的问题,在分析功率模块的结构和主要失效模式的基础上,重点分析温度循环试验和间歇工作寿命试验等功率模块关键考核项目,以及极限温度、循环次数、结温温升、电流施加方式等具体试验条件,为研制单位和用户制定针对性试验要求提供参考。
张秋
关键词：功率模块温度循环试验
无铅元器件对高可靠系统的影响及其应对标准被引量：2
2013年
分析了无铅元器件对高可靠系统的危害,以及引入高可靠系统所造来的技术和管理问题,重点介绍了工业界和政府电子与信息技术协会、固态技术协会等制定的应对无铅元器件引入高可靠性系统相关的标准。
张秋朱茗
关键词：无铅元器件
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