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硅电子股份公司

作品数：647 被引量：0H指数：0
相关机构：彼特沃尔特斯有限责任公司英特尔公司瓦克化学股份公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 647篇中文专利

领域

  • 76篇电子电信
  • 18篇金属学及工艺
  • 13篇文化科学
  • 8篇经济管理
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 375篇晶片
  • 334篇半导体
  • 265篇半导体晶片
  • 212篇单晶
  • 111篇抛光
  • 74篇外延层
  • 71篇硅晶
  • 64篇硅单晶
  • 62篇单晶硅
  • 62篇半导体材料
  • 57篇硅晶片
  • 50篇晶体
  • 50篇晶圆
  • 47篇线锯
  • 45篇抛光垫
  • 45篇坩埚
  • 42篇熔体
  • 42篇抛光剂
  • 39篇磨料
  • 38篇蚀刻

机构

  • 647篇硅电子股份公...
  • 11篇彼特沃尔特斯...
  • 2篇英特尔公司
  • 2篇瓦克化学股份...

年份

  • 13篇2025
  • 25篇2024
  • 43篇2023
  • 21篇2022
  • 33篇2021
  • 23篇2020
  • 17篇2019
  • 23篇2018
  • 15篇2017
  • 27篇2016
  • 37篇2015
  • 37篇2014
  • 43篇2013
  • 42篇2012
  • 46篇2011
  • 53篇2010
  • 32篇2009
  • 36篇2008
  • 36篇2007
  • 19篇2006
共 647 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于制造半导体材料的单晶的方法
本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第...
W·V·阿蒙L·阿尔特曼绍夫尔H·里曼J·菲舍尔
文献传递
使用清洁溶液清洁半导体晶片的方法
本发明涉及一种使用包含初始组成的铵碱性组分的清洁溶液清洁半导体晶片的方法，其中使所述半导体晶片以单晶片处理与清洁溶液接触，在清洁的过程中加入了氟化氢，以作为所述清洁溶液的其它组分，并且所述清洁溶液在清洁结束时具有不同于初...
C·萨皮尔柯T·布施哈尔特D·费霍G·施瓦布
文献传递
外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
本发明的目的可通过用于制造外延涂覆的硅晶片的第一种方法来实现，其中提供多个至少在正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，其中将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一...
J·哈贝雷希特C·哈格尔G·布伦宁格
硅晶片及其制备方法
问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空...
中居克彦碇敦大久保正道
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生产半导体结构的方法
本发明涉及生产半导体结构的方法，所述方法包括：在第一硅衬底上提供通过在硅中注入碳而产生的包含单晶3C-SiC层的3C-SiC半导体层结构；和将适用于生产光电子元件的氮化物化合物半导体外延层施加到所述3C-SiC半导体层结...
M·黑贝伦B·墨菲
文献传递
磨削半导体晶圆的方法
一种磨削半导体晶圆的方法，其中，在向旋转的半导体晶圆和磨削工具之间的接触区域提供冷却介质时借助包含具有高度h的磨削齿的磨削工具以移除材料的方式加工半导体晶圆，其中，在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向半导体晶圆的一侧的...
S·奥伯汉斯M·克斯坦R·魏斯
从工件切割晶片的线锯的带固定结合磨粒锯线的单层卷绕
本发明涉及从工件切割晶片的线锯的带固定结合磨粒锯线的单层卷绕，特别是涉及用于从工件切割晶片的线锯的绕线盘，其中涂布有固定结合磨粒的锯线以单层方式卷绕至绕线盘上。本发明既可应用于单切线锯，也可应用于多线锯。
J·容格J·莫泽
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制备抛光的半导体的方法
本发明涉及一种制备半导体晶片的方法，将所述半导体晶片从晶体切割，并对其实施从所述半导体晶片的正面和背面去除材料的一系列加工步骤，其包括以下加工步骤：机械加工步骤，蚀刻步骤，其中将所述半导体晶片氧化，并且借助于含有氢氟酸的...
马克西米利安·施塔德勒京特·施瓦布迭戈·费若卡尔海因茨·朗斯多夫
文献传递
FZ硅和制备FZ硅的方法
FZ硅，其中所述FZ硅在经过低于900℃的加工温度下的任何加工步骤后都显示出其少数载流子寿命没有降低。制备FZ硅的方法，其包括在大于或等于900℃的退火温度下使FZ硅退火，并在低于900℃的加工温度下加工经退火的FZ硅。
A·胡贝尔A·伦茨
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P型硅单晶以及其制造方法
本发明提供电阻率高并且电阻率变化率较小的p型硅单晶以及其制造方法。解决方法：制造p型硅单晶1的方法，包括以下步骤：制备硅熔体7，所述硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质...
中居克彦
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共65页<12345678910>
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