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彼特沃尔特斯有限责任公司
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用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法
用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘,至少一个工作盘可由驱动部件转动,工作盘之间形成工作间隙,至少一个承载盘设在工作间隙中,且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口,且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿,若齿轮...
M·克斯坦
G·皮奇
F·伦克尔
C·万贝希托尔斯海姆
H·莫勒
用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法
公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法,其中,每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中,所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动,从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动,...
M·克斯坦
G·皮奇
F·伦克尔
C·万贝希托尔斯海姆
H·莫勒
文献传递
同时研磨多个半导体晶片的方法
本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法,其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中,并由此在摆线轨迹上运动,其中,所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式...
G·皮奇
M·克斯坦
H·a·d·施普林
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用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法和平面度优异的半导体晶片
本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法,其中每一半导体晶片都保持在这样的状态,其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动,并因此在摆线轨迹上移动,其中以材料去除方式在两个旋转加工圆...
G·皮奇
M·克斯坦
H·a·d·施普林
文献传递
同时研磨多个半导体晶片的方法
本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法,其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中,并由此在摆线轨迹上运动,其中,所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式...
G·皮奇
M·克斯坦
H·a·d·施普林
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用于扁平工件的双面处理的装置及其用途
用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘,至少一个工作盘可由驱动部件转动,工作盘之间形成工作间隙,至少一个承载盘设在工作间隙中,且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口,且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿,若齿轮...
M·克斯坦
G·皮奇
F·伦克尔
C·万贝希托尔斯海姆
H·莫勒
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同时研磨多个半导体晶片的方法
本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法,其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中,并由此在摆线轨迹上运动,其中,所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式...
G·皮奇
M·克斯坦
H·a·d·施普林
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载体及其涂敷方法和对半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法
本发明涉及一种载体,其适于容纳一个或多个半导体晶圆以在精研、研磨或者抛光机中对该半导体晶圆进行加工,所述载体包括由具有高硬度的第一材料组成的核心,该核心完全或者部分由第二材料涂敷,该载体还包括至少一切口以用于容纳所述半导...
G·皮奇
M·克斯坦
H·a·d·施普林
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用于扁平工件的双面处理的装置和用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法
公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法,其中,每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中,所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动,从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动,...
M·克斯坦
G·皮奇
F·伦克尔
C·万贝希托尔斯海姆
H·莫勒
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同时研磨多个半导体晶片的方法
本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法,其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中,并由此在摆线轨迹上运动,其中,所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式...
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