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厦门三安光电有限公司

作品数：583 被引量：1H指数：1
相关机构：北京大学中国科学院重庆绿色智能技术研究院中微半导体设备(上海)股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 571篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇标准

领域

  • 201篇电子电信
  • 34篇文化科学
  • 27篇自动化与计算...
  • 12篇经济管理
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇理学
  • 3篇机械工程
  • 3篇交通运输工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 427篇发光
  • 344篇二极管
  • 331篇发光二极管
  • 161篇半导体
  • 141篇电极
  • 106篇发光层
  • 76篇绝缘
  • 75篇叠层
  • 68篇绝缘层
  • 64篇显示装置
  • 61篇倒装
  • 57篇焊盘
  • 52篇导电
  • 52篇LED芯片
  • 51篇堆叠
  • 48篇外延层
  • 44篇出光
  • 43篇衬底
  • 41篇导电型
  • 39篇接触电极

机构

  • 583篇厦门三安光电...
  • 2篇北京大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇厦门大学
  • 2篇中国计量大学
  • 2篇中国科学院重...
  • 2篇东莞市志橙半...
  • 2篇广东省东莞市...
  • 2篇中关村半导体...
  • 2篇安泰天龙钨钼...
  • 2篇中微半导体设...
  • 1篇安徽三安光电...
  • 1篇友达光电(厦...
  • 1篇厦门强力巨彩...
  • 1篇厦门市三安光...

作者

  • 1篇陈忠

传媒

  • 2篇皮革制作与环...
  • 1篇电子质量
  • 1篇发光学报
  • 1篇连铸
  • 1篇数码设计
  • 1篇产品可靠性报...

年份

  • 45篇2025
  • 70篇2024
  • 121篇2023
  • 102篇2022
  • 92篇2021
  • 62篇2020
  • 33篇2019
  • 32篇2018
  • 14篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2009
  • 1篇2007
共 583 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微发光二极管及其显示装置
本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源...
李佳恩叶雪萍蔡文必
发光二极管及其制作方法
一种发光二极管及其制作方法，其扩大倒装型发光二极管芯片的固晶电极的表面积，改善芯片焊接特性。该发光二极管包括：透明基板（210），具有相对的第一表面（210A）和第二表面（210B）；透明基板（210）的第一表面（210...
何安和林素慧王锋王庆黄禹杰彭康伟
文献传递
LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置
LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置。所述LED芯片包括：衬底、第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接电流...
刘士伟徐瑾刘可王水杰张中英曾合加
一种氮化物半导体发光二极管
本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电...
郑锦坚周启伦钟志白陈松岩康俊勇杜伟华李志明邓和清臧雅姝伍明跃徐宸科林峰李水清
文献传递
一种发光二极管及其显示装置
一种发光二极管，至少依次包括N型层(100)、过渡层(200)、有源层(300)和P型层(500)，其中有源层(300)包括M个周期的阱层(320)和垒层(310、311)交替堆叠，对有源层(300)的靠近P型层(500...
王宥楠黄景峰林科闯赖昭序刘信佑张中英
微发光二极管、微发光元件及显示器
本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层和绝缘层；半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及...
吴政李佳恩杨硕
文献传递
一种半导体发光元件及其制作方法
一种半导体发光元件，其包括：透光衬底，由第一材料组成，透光衬底具有第一表面，第一表面包括第一区域和第二区域；半导体发光序列，堆叠在透光衬底的第一表面的第一区域，自第一表面开始依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型...
陈功许圣贤林素慧彭康伟洪灵愿何敏游
一种发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种发光二极管，包含与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第二反射层的材料包括铑、铂或者钌，第一反射层和...
陈柏羽邓有财张中英
文献传递
一种半导体的极性控制结构及制作方法
本发明公开了一种半导体的极性控制结构，从下至上包括衬底，缓冲层，第一导电型的第三半导体层，有源层以及第二导电型的第四半导体层；于所述第一导电型的第三半导体层内部插入一极性控制层，以调控最终半导体的表面或界面极性。
郑锦坚周启伦王星河钟志白臧雅姝徐宸科杜伟华林峰李水清康俊勇
文献传递
倒装发光二极管及其制备方法
本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所...
陈思河黄禹杰臧雅姝韩涛李俊贤吕奇孟陈剑斌
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