您的位置： 专家智库 > >

校际微电子中心

作品数：30 被引量：0H指数：0
相关机构：NXP股份有限公司栗田工业株式会社布鲁塞尔自由大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术生物学电子电信化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 29篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇相变
  • 7篇相变材料
  • 7篇半导体
  • 6篇相变存储
  • 6篇存储器
  • 5篇电阻
  • 5篇有源
  • 5篇存储器单元
  • 4篇电流
  • 4篇叠层
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘
  • 4篇基极
  • 4篇集电极
  • 4篇半导体器件
  • 3篇转换器件
  • 3篇温度
  • 3篇相变存储器
  • 3篇编程
  • 3篇PCM

机构

  • 30篇校际微电子中...
  • 16篇NXP股份有...
  • 2篇栗田工业株式...
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇布鲁塞尔自由...
  • 1篇NXP有限公...
  • 1篇丰田自动车株...
  • 1篇ASML荷兰...

作者

  • 1篇蒋冬梅
  • 1篇王哲
  • 1篇胡丽芳
  • 1篇骞爱荣

传媒

  • 1篇陕西师范大学...

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
垂直相变存储单元
一种垂直相变存储单元(2)具有相变存储材料的有源区(24)，通过提供仅在相变存储材料的一部分上延伸的接触或者仅使相变存储材料一部分外露的绝缘层，来限定有源区(24)。每个单元可以有多于一个的有源区(24)，从而允许在每个...
卢多维克·R·A·古大卫·I·马德恩
文献传递
使用对准传感器测量对比度和临界尺寸
一种方法可以包括使用光学扫描系统将辐射引导向至少两个目标以生成散射辐射的第一部分和第二部分。第一目标可以包括多个第一光栅线结构，该多个第一光栅线结构包括具有第一偏置值的特征。第二目标可以包括多个第二光栅线结构，该多个第二...
E·A·M·L·杜里奥C·E·塔贝里T·A·布伦纳C·P·奥施尼特V·P·T·特鲁弗特
并行处理设计装置、以及并行处理设计方法
本发明提供一种并行处理设计装置、以及并行处理设计方法。CPU包括：观测点计算部，其在多个设计变量的维数超过规定维数的情况下，放弃设计上的贡献较少的设计变量，并利用采集函数和罚函数而对用于搜索如下区域的多个观测点进行计算，...
菅井友骏新谷浩平伊沃·库克库伊特尼古拉斯·克努德青楫翔汤姆·戴恩
文献传递
制造半导体器件的方法以及半导体器件
本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有合适功函材料的栅极电极。所述方法包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电...
芮古纳斯塞恩·辛葛拉马拉雅各布·C·虎克马库斯·J·H·范达纶
半导体器件和生产这种器件的方法
本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(1)的半导体器件(10)，该器件包括具有依次排列的集电极区域(2)、基极区域(3)和发射极区域(4)的双极晶体管，其中，半导体主体包括突出的台面(5)，该台面至少包括基极区域(...
埃尔文·海曾约斯特·梅拉伊韦伯·D·范诺尔特约翰内斯·J·T·M·东科尔斯菲利皮·默尼耶-尼拉尔德安德列亚斯·M·皮翁特克L·J·蔡斯特凡·范胡林布罗伊科
文献传递
非易失性存储器件
存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每...
卢多维克·古克斯朱迪思·里索尼托马斯·吉勒德克·武泰斯
文献传递
Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法
在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸...
颜畅子永井达夫法里德·赛巴伊库尔特·沃斯汀
文献传递
非易失性存储器件
存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每...
卢多维克·古克斯朱迪思·里索尼托马斯·吉勒德克·武泰斯
半导体器件和生产这种器件的方法
本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(1)的半导体器件(10)，该器件包括具有依次排列的集电极区域(2)、基极区域(3)和发射极区域(4)的双极晶体管，其中，半导体主体包括突出的台面(5)，该台面至少包括基极区域(...
埃尔文·海曾约斯特·梅拉伊韦伯·D·范诺尔特约翰内斯·J·T·M·东科尔斯菲利皮·默尼耶-尼拉尔德安德列亚斯·M·皮翁特克L·J·蔡斯特凡·范胡林布罗伊科
文献传递
Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法
在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸...
颜畅子永井达夫法里德·赛巴伊库尔特·沃斯汀
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0