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爱发科成膜株式会社

作品数：43 被引量：0H指数：0
相关机构：爱发科股份有限公司株式会社SK电子更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 43篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 21篇掩模
  • 17篇相移
  • 10篇光层
  • 9篇半色调
  • 8篇掩膜
  • 8篇蚀刻
  • 7篇图案
  • 7篇层压
  • 6篇相移掩模
  • 5篇遮光
  • 5篇反射率
  • 4篇氮化
  • 4篇坯料
  • 4篇耐化学品
  • 4篇耐化学品性
  • 4篇溅射
  • 4篇光掩模
  • 4篇玻璃基
  • 4篇玻璃基板
  • 3篇制造装置

机构

  • 43篇爱发科成膜株...
  • 3篇爱发科股份有...
  • 1篇株式会社SK...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于制造灰色调掩模的方法
一种用于制造灰色调掩模的方法，其在稳定和简单的膜形成条件下减低了对于曝光波长的波长依赖性。使用在氩和一氧化氮气体中溅射纯铬靶材的反应溅射方法来形成具有单层结构的氮化铬膜。基于在具有不同一氧化氮浓度的多个膜形成条件下获得的...
山田文彦尾崎俊治佐佐木贵英石塚正彦影山景弘矶博幸小林良一林厚
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相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜
本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1)，其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范...
影山景弘中村大介
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蚀刻方法、掩膜、功能部件以及功能部件的制造方法
蚀刻方法是在玻璃基板上形成掩膜并使用氢氟酸系蚀刻剂来实施蚀刻，该掩膜具有至少含有铬和氮的膜。
小岛智明小林良纪泷上哲行浅贺猛
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掩模坯的制造方法、掩模坯、光掩模的制造方法及光掩模
本发明的目的是解决以下问题以及在图案形成工序中进一步加快掩模层的蚀刻速率，该问题是如果掩膜层含有钼，则在曝光工序中照射激光时，形成于表层的氧化层膜厚变厚而图案变粗，从而所形成的图案的形状的准确性劣化的问题，以及如果使用比...
铃木寿弘细谷守男金井修一郎中畦修
相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜
本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1)，其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范...
影山景弘中村大介
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掩模坯、半色调掩模、制造方法、制造装置
本发明涉及一种掩模坯、半色调掩模、制造方法、制造装置。本发明的掩模坯具备：透明基板；半色调层，层压在该透明基板的表面上且以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压在所述半色调层上；和遮光层，层压在所述蚀刻停止层上且以Cr为主成分，...
诸沢成浩汐崎英治
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阴极基板及其制造方法
一种阴极基板及其制造方法。该阴极基板包括在处理基板(11)上依次层叠的阴极电极层(12)、绝缘层(14)和栅电极层(15)，在此绝缘层上形成的孔(14a)的底部中设置发射极(E)，同时在上述栅电极层中形成栅极孔开口部(1...
中野美尚平川正明三浦治村上裕彦冈坂谦介小岛智明
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半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法
本发明提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或...
中村大介影山景弘
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半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法
本发明提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或...
中村大介影山景弘
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掩模坯体、掩模坯体的产生方法以及掩模的产生方法
一种掩模坯体，其可以形成高分辨率的转印图案而不会发生形状缺陷。掩模坯体(10)包括透明基片(11)、设置在所述透明基片(11)上的待蚀刻层(14)、设置在所述待蚀刻层(14)上并且利用第一化学增幅抗蚀剂形成的抑制层(20...
小川巧仓林章平元豪
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