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河北同光科技发展有限公司

作品数：15 被引量：0H指数：0
相关机构：河北同光晶体有限公司更多>>
相关领域：理学交通运输工程一般工业技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 2篇交通运输工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇单晶
  • 8篇晶体
  • 7篇SIC单晶
  • 6篇坩埚
  • 5篇籽晶
  • 5篇长腔
  • 4篇碳化硅
  • 4篇晶体生长
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇缺陷密度
  • 3篇籽晶生长
  • 3篇微管
  • 3篇晶片
  • 3篇扩径
  • 3篇硅单晶
  • 2篇低辐射
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔石墨

机构

  • 15篇河北同光科技...
  • 2篇河北同光晶体...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高质量大直径SiC单晶的制备装置
本实用新型公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与...
刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙尚远航
文献传递
一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法
本发明公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，...
刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙尚远航
晶体的偏置切割方法
一种晶体的偏置切割方法，涉及晶体切割技术领域，用于解决现有技术中晶体的切割方法容易造成碎片，也即开裂率较高的技术问题。所述晶体的偏置切割方法，在晶体材料的摇摆切割过程中，使晶体材料倾斜偏置一定角度，以减小切割机的切割线对...
李永超崔景光曹宝红王冬旭崔盼兴赵焕君
文献传递
碳化硅单晶快速扩径生长系统
本实用新型公开一种碳化硅单晶快速扩径生长系统，涉及半导体晶体生长技术领域，用于解决现有技术中在保证结晶质量的前提下，无法较好地实现碳化硅单晶的快速扩径的问题。本实用新型提供的碳化硅单晶快速扩径生长系统，包括：坩埚桶，所述...
张福生杨昆刘新辉牛晓龙路亚娟尚远航
文献传递
高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
本发明公开一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，涉及SiC单晶的生长制备技术领域，用于解决现有技术中针对石墨部件及多晶原料所吸附氮气在高温生长过程中解吸附而导致高纯半绝缘SiC单晶产率下降的技术问题。本发明所述的高纯半绝缘...
杨昆路亚娟牛晓龙刘新辉张福生
文献传递
用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、陶瓷盘、化学机械抛光装置
本发明公开一种用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、一种陶瓷盘及应用其的化学机械抛光装置，涉及碳化硅晶圆加工技术领域，通过改变陶瓷盘贴片区域的形状来达到改变晶圆局部受力分布，从而研磨去除掉晶圆局部高点。本发...
刘少华李坤宁杨兴娇李雪涛赵焕君崔景光
文献传递
一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法
本发明公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，...
刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙尚远航
晶体的偏置切割方法
一种晶体的偏置切割方法，涉及晶体切割技术领域，用于解决现有技术中晶体的切割方法容易造成碎片，也即开裂率较高的技术问题。所述晶体的偏置切割方法，在晶体材料的摇摆切割过程中，使晶体材料倾斜偏置一定角度，以减小切割机的切割线对...
李永超崔景光曹宝红王冬旭崔盼兴赵焕君
一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置
本发明公开一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置，涉及碳化硅晶圆检测技术领域，其能够直观地观察到是否存在贯穿型管道，且检测时间短、检测人员不易产生疲劳，能够有效保证检测的一致性。本发明所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷...
赵华利崔景光闫兰高彦静赵焕君李永超吕敬文
文献传递
高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
本发明公开一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，涉及SiC单晶的生长制备技术领域，用于解决现有技术中针对石墨部件及多晶原料所吸附氮气在高温生长过程中解吸附而导致高纯半绝缘SiC单晶产率下降的技术问题。本发明所述的高纯半绝缘...
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