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河北同光晶体有限公司

作品数：130 被引量：3H指数：1
相关机构：中国电子科技集团公司北京天科合达半导体股份有限公司河北同光科技发展有限公司更多>>
发文基金：河北省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 119篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇标准
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 11篇电子电信
  • 6篇化学工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇语言文字

主题

  • 69篇单晶
  • 69篇碳化硅
  • 47篇坩埚
  • 47篇硅单晶
  • 46篇碳化硅单晶
  • 44篇晶体
  • 32篇晶体生长
  • 31篇籽晶
  • 26篇石墨坩埚
  • 18篇SIC单晶
  • 17篇单晶生长
  • 16篇石墨
  • 13篇晶体生长过程
  • 9篇加热炉
  • 7篇感应加热炉
  • 7篇高纯
  • 7篇测温
  • 6篇生长面
  • 6篇升华
  • 6篇输运

机构

  • 129篇河北同光晶体...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇河北同光科技...
  • 2篇北京天科合达...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇北京聚睿众邦...
  • 1篇贵研检测科技...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇国标(北京)...
  • 1篇北京天科合达...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇广东先导稀材...
  • 1篇新疆天科合达...
  • 1篇国合通用测试...
  • 1篇北京华进创威...
  • 1篇厦门万明电子...

传媒

  • 2篇中文科技期刊...
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2023
  • 14篇2021
  • 7篇2020
  • 13篇2019
  • 11篇2018
  • 31篇2017
  • 10篇2016
  • 15篇2015
  • 18篇2014
  • 9篇2013
共 130 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺
本发明提供了一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺，安装装置包括坩埚、坩埚盖、固定安装于所述坩埚内壁上的环形石墨托、边缘搭接在所述环形石墨托上的耐高温支架环；碳化硅籽晶非生长面覆置有高纯石墨超微细粉胶膜；所述有...
路亚娟杨昆牛晓龙刘新辉张福生
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一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法
针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法，通过使用多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，在聚合物表面均匀布置小颗粒SiC籽晶，将多孔石墨板非涂覆面固定在石墨坩埚上盖上，SiC粉料放于石墨坩埚底部...
乔松杨昆高宇郑清超
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一种碳化硅单晶的生产装置
本实用新型涉及一种碳化硅单晶的生产装置，包括坩埚，所述坩埚的外部设有感应线圈，所述感应线圈套装在坩埚的中部外，所述坩埚的内部设有晶体生长平台、物质输送通道和碳化硅原料区，所述晶体生长平台有两个，分别设置在坩埚内的顶部和底...
邓树军高宇陶莹赵梅玉段聪
文献传递
一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法
本发明的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl<Sub>5</Sub>正丁醇溶液；2)将多孔石墨板放入真空炉内，进行升温；3)以惰性气体作为载气通入TaCl<Sub>5</Sub>...
高宇杨继胜杨昆郑清超
一种碳化硅晶体生长的坩埚结构
本实用新型涉及一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，包括坩埚锅盖及坩埚体，所述坩埚体包括用于晶体生长的第一坩埚壁和用于放置原料的第二坩埚壁和坩埚底结构，所述第一坩埚壁的上端与所述坩埚盖活动连接；所述第一坩埚壁的下端与所述第二坩埚...
陶莹高宇段聪赵梅玉邓树军
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超高真空碳化硅原料合成炉系统
本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统，涉及碳化硅合成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中，炉室为圆筒形立式...
靳启忠 刘腾飞 白剑铭 陈满 刘春播 段聪 赵焕君
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超高真空碳化硅原料合成炉系统
本实用新型公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统，涉及碳化硅合成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本实用新型所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中，炉室为圆...
靳启忠刘腾飞白剑铭陈满刘春播段聪赵焕君
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一种用于碳化硅单晶定位边定向的夹具
本实用新型涉及一种用于碳化硅单晶定位边定向的夹具，夹具主体放置在定向仪精度样品台上，夹具主体大致呈长方体形，其顶部的一角为一个正方体形的凹陷，在正方体形的凹陷中放置有晶体，晶体的顶部设有平行精度铁，缓冲层覆盖在平行精度铁...
赵梅玉段聪邓树军高宇陶莹
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一种用于制备碳化硅晶体的加热装置
本实用新型提供了一种用于制备碳化硅晶体的加热装置，该装置在坩埚上方增设顶部加热器，晶体退火过程中，通过设定适宜的顶部加热器加热功率使得晶体内径向和轴线温度梯度与晶体生长过程相比大幅度缩小或翻转，进而使得冷却后晶体内部的残...
高宇 巴音图 邓树军 赵梅玉 陶莹
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一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚
本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。本实用新型的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在晶体生长结束后，可以...
高宇邓树军段聪赵梅玉陶莹
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