王辉
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响被引量：1
- 2005年
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析。通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善。选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜。
- 王辉宋航金亿鑫蒋红缪国庆
- 关键词：碳化硅
- HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光被引量：2
- 2004年
- 利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。
- 王辉宋航金亿鑫蒋红缪国庆李志明赵海峰
- 关键词：光致发光碳化硅HFCVD
- HFCVD法制备纳米晶态SiC及其室温下的光致发光被引量：7
- 2004年
- 用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H SiC。为减小6H SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了缓冲层,确立了形成缓冲层的最佳条件。采用扫描电镜、傅里叶红外吸收谱和X射线衍射等分析手段对样品进行了结构和组分分析。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的是晶态纳米SiC,纳米晶粒平均尺寸约为60nm,并在室温下观察到所制备的纳米SiC位于380～420nm范围内的短波可见光。研究和分析了碳化时间对发光峰及红外吸收峰位置的影响。
- 王辉宋航金亿鑫蒋红缪国庆
- 关键词：碳化硅光致发光碳化热丝化学气相沉积
