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高飞
作品数:
58
被引量:10
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团公司
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发文基金:
天津市科技计划
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相关领域:
电子电信
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金属学及工艺
理学
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合作作者
李晖
中国电子科技集团公司
王英民
中国电子科技集团公司
王磊
中国电子科技集团公司
徐世海
中国电子科技集团公司
王健
中国电子科技集团公司
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作者
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高飞
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李晖
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2篇
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1篇
2015
共
58
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一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法及控制装置
本发明涉及一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法,控制方法通过控制装置完成,采用称重装置所获得的一个采样周期的晶体质量的增量、拉速等数据来计算该采样周期内的放肩角度,属于采样周期内的局部放肩角度调整;另外通过图像采集装置获...
于凯
霍晓青
王英民
高飞
张胜男
王健
李宝珠
程红娟
王新月
文献传递
一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法
本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法,将载盘放置到加热台上预热;将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘;将载盘放置到加热台上预热,将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上;采用研磨液...
高飞
边子夫
王英明
王健
霍晓青
李晖
李宝珠
一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法
本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削,对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片,且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板,用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出...
张弛
李晖
霍晓青
高飞
王磊
张胜男
高鹏程
王淳
李响
利于导模法3-4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法
一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法,坩埚和模具清洗晾干;放进处理炉抽真空、加热、保温后取出;将模具固定在坩埚中,放入Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>原料后放入单晶生长炉,抽真空、充C...
王英民
霍晓青
张胜男
王健
周传新
郝建民
李宝珠
高飞
周金杰
一种晶片缺陷的快速标记方法
本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域,每个区域均匀设有若干个方格,每个方格之间设有相互垂直的沟槽,每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴...
张弛
王英民
程红娟
李晖
霍晓青
高飞
王健
王磊
高鹏程
人工智能赋能网络攻击的安全威胁及应对策略
被引量:2
2022年
人工智能技术是当前社会发展中应用的重要技术,对当前社会的发展有非常重要的作用,在当前社会发展的各个领域都有重要应用。而在人工智能赋能同时也造成了一定的网络攻击,影响到了网络安全。所以,在当前人工智能技术的研究过程中,应该注重对人工智能赋能网络攻击的防御措施建设,构建网络安全体系,实现对人工智能赋能网络安全。
高飞
闫征
关键词:
人工智能
一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫,抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料,压力100~200 g/cm<Sup>2</Sup>,转速10~40转/分钟,流量10‑50 mL/min;中抛光采...
高飞
李晖
徐世海
张颖武
练小正
张弛
王磊
徐永宽
程红娟
文献传递
一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法
本发明涉及一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法。碳化硅单晶片的化学机械抛光采用合成树脂锡盘,根据碳化硅单晶片的厚度和抛光去除量,确定采用合成树脂锡盘刻槽的宽度和深度,采用带修面研磨机对合成树脂锡盘进行修面和...
高飞
徐永宽
李晖
徐世海
程红娟
洪颖
文献传递
一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法
本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工;对滚圆后的晶锭进行定向,确定基准轴方向为<11‑20>方向;沿<11‑20>方向加工非对称V型槽;晶锭...
窦瑛
徐永宽
洪颖
杨丹丹
高飞
文献传递
一种制备氮化铝单晶的装置和长时稳定生长氮化铝单晶的方法
本发明涉及氮化铝单晶生长技术领域,具体公开一种制备氮化铝单晶的装置和长时稳定生长氮化铝单晶的方法。所述制备氮化铝单晶的装置包括由下至上依次分布的下钨坩埚、钨圆片和上钨坩埚,还包括罩设于所述上钨坩埚外的隔热罩;所述下钨坩埚...
王增华
程红娟
王英民
张弛
张丽
高飞
张颖
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