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王平

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电流增益
  • 1篇电子辐照
  • 1篇钝化
  • 1篇增益
  • 1篇退火特性
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶闸管
  • 1篇开关晶体管
  • 1篇保护器件
  • 1篇LED
  • 1篇新结构

机构

  • 2篇杭州士兰集成...

作者

  • 2篇王英杰
  • 2篇王平
  • 1篇吴贵阳
  • 1篇徐敏杰
  • 1篇刘宪成

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种新结构LED保护器件的设计研究
2014年
针对现有LED旁路保护器件的技术不足,提供了一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构。所设计的保护器件集成了晶闸管、电阻及二极管等结构,以四层晶闸管为核心部件,利于提高瞬变电压的耐受能力;在其中增设两个二极管,分别用于调整器件正向工作时的启动电压和为反向工作时提供电流通道。经过流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,当正向电压大于4.5V时,器件内部的可控硅结构被触发启动,器件性能符合设计要求。
王平徐敏杰王英杰刘宪成
关键词:LED保护器件晶闸管
不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性
2015年
在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结构电参数的差异的原因。结果表明,在降低辐照诱导的表面复合电流、提高晶体管的综合电学性能方面,纯氮化硅膜的二次钝化结构为最优选择。这种结构在存贮时间ts满足器件要求的同时,电流增益hFE和K值衰减幅度最小。这个结论有助于开关晶体管结构设计优化。
王平吴贵阳王英杰
关键词:开关晶体管电子辐照氮化硅电流增益
共1页<1>
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