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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇功率管
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇直流
  • 1篇射频
  • 1篇迁移率
  • 1篇微波功率管
  • 1篇内匹配
  • 1篇晶体管
  • 1篇加速寿命试验
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇S波段
  • 1篇GAN

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇钱峰
  • 2篇姚实
  • 1篇唐世军
  • 1篇任春江
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇蒋浩
  • 1篇徐波
  • 1篇杨洋
  • 1篇贾东铭

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验被引量:4
2015年
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。
杨洋徐波贾东铭蒋浩姚实陈堂胜钱峰
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率管加速寿命试验
S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现被引量:5
2015年
本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方式实现大功率输出。应用微波仿真软件ADS对其进行优化,得到良好仿真结果并给出最终测试数据。在48V漏电压、1 ms周期、10%占空比测试条件下,3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率超过54.5dBm,功率增益大于13.5dB,功率附加效率超过50%。
姚实唐世军任春江钱峰
关键词:内匹配功率放大器S波段
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