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徐长卿

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 12篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 18篇网络
  • 15篇单粒子
  • 12篇单粒子效应
  • 11篇神经网
  • 11篇神经网络
  • 10篇电路
  • 9篇上网
  • 9篇片上网络
  • 9篇仿真
  • 8篇脉冲神经网络
  • 7篇脉冲
  • 6篇瞬态
  • 4篇低功耗
  • 4篇瞬态电流
  • 4篇瞬态效应
  • 4篇网表
  • 4篇互连
  • 4篇功耗
  • 4篇仿真平台
  • 3篇宇航

机构

  • 44篇西安电子科技...

作者

  • 44篇徐长卿
  • 41篇刘毅
  • 35篇杨银堂
  • 5篇杨帆
  • 4篇牛玉婷
  • 3篇王晨
  • 2篇吴自力
  • 1篇何越

传媒

  • 1篇现代应用物理

年份

  • 10篇2025
  • 1篇2024
  • 8篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种针对片上网络的低功耗、抗串扰的编解码方法及编解码装置
本发明提供一种抑制串扰的低功耗编解码方法及其编解码器，能够有效减小数据传输的动态功耗，并提高数据传输的质量。本发明从减少数据间的翻转次数的角度考虑，改变数据的编码方式，相比于原始数据，翻转次数可降低37.56％，有效地降...
徐长卿刘毅杨银堂牛玉婷
文献传递
一种基于神经网络回归的单粒子瞬态效应建模方法
本发明提出一种基于神经网络回归的单粒子瞬态效应建模方法，解决了现有基于物理机理的单粒子瞬态建模存在模型复杂度高、不适用电路级单粒子效应仿真分析，而基于特定函数拟合的单粒子瞬态建模很难保证模型的精度的技术问题。方法步骤包括...
徐长卿程佳良廖新芳刘毅杨银堂
一种基于自回落神经元模型的脉冲神经网络的训练方法
本发明为解决随着现有脉冲神经网络的复杂化，脉冲发射频率增加，产生了更多的计算与存储消耗，使得神经网络的精度与工作效率均有所降低的问题，而提供一种基于自回落神经元模型的脉冲神经网络的训练方法。该方法通过设定当神经元膜电压超...
裴乙鉴徐长卿刘毅吴自力杨银堂
针对寄存器注错单粒子效应仿真的等效遍历故障注入方法
本发明提供了一种针对寄存器注错单粒子效应仿真的等效遍历故障注入方法，用于解决大规模集成电路寄存器单元的单粒子效应仿真中仿真时间消耗与仿真故障覆盖率存在矛盾的技术问题。本方法基于多寄存器单元故障注入模型，采用全部寄存器单元...
宁嘉豪徐长卿刘毅杨银堂
一种基于FPGA+ARM架构的片上网络仿真平台
本发明提供一种基于FPGA+ARM架构的片上网络仿真平台，解决传统软件模拟性能低下以及目前硬件解决方案因结构固定导致可扩展性差的问题。本发明采用RAM+FPGA的系统架构，通过FPGA搭建片上网络基本架构实现硬件加速的目...
徐长卿吴汉鹏刘毅杨银堂
文献传递
基于正交设计和神经网络的器件级抗辐照加固预测模型的建立方法
本发明为解决对宇航用电子器件的抗辐照加固设计需要经过大量的工艺摸底试验才能得到较为优化的加固方案，导致宇航用抗辐照加固产品研制周期长，研制成本高的问题，而提供一种基于正交设计和神经网络的器件级抗辐照加固预测模型的建立方法...
徐长卿廖新芳刘毅王晨杨银堂
一种电路级单粒子效应仿真平台
本发明提供一种电路级单粒子效应仿真平台，能够支持万门级以上的大规模电路进行单粒子效应仿真分析。该电路级单粒子效应仿真平台包括电路分析模块、故障注入配置模块、分析模式模块、网表处理模块与结果分析模块，其中电路分析模块提取电...
吴汉鹏李建波徐长卿刘毅杨银堂
文献传递
一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法
本申请公开了一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法、装置、介质和设备，通过获取不同放大倍数的垂直NPN型晶体管模型，对各垂直NPN型晶体管模型施加预设强度范围和步长的静磁场，得到不同磁场环境下各垂直NPN型晶体管模型的...
郭可欣徐长卿刘毅孟凡鑫廖进福
一种具有抗强磁能力的新型双极型晶体管
本申请公开了本申请提供一种具有抗强磁能力的新型双极型晶体管、控制芯片和晶体管制造方法，通过P型衬底、N型埋层，以及三个第一STI区、第二STI区、有源区和N型深阱；三个第一STI区域均并列设于N型埋层远离P型衬底的一侧；...
郭可欣徐长卿刘毅孟凡鑫廖进福
用于NMOS晶体管的性能分析方法、计算机程序产品、电子设备
本发明具体涉及一种用于NMOS晶体管的性能分析方法。所述方法包括：根据NMOS晶体管的性能特征确定对应的转移特性曲线；基于NMOS晶体管的转移特性曲线确定对应的初始阈值电压；为所述NMOS晶体管在目标方向施加不同强度的静...
孟凡鑫刘毅徐长卿郭可欣廖进福
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