朱美玲
- 作品数：1 被引量：7H指数：1
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ho掺杂BiFeO3陶瓷的制备及介电性能被引量：7
- 2010年
- 采用快速液相烧结法制备Ho掺杂BiFeO3系列陶瓷样品Bi1–xHoxFeO3(x=0,0.05,0.1,摩尔分数),X射线衍射物相分析表明:样品均为三方钙钛矿结构,掺杂微量的Ho3+可以有效消除样品中的Bi2Fe4O9杂相,获得单相Bi0.95Ho0.05FeO3。用HP4294A精密阻抗分析仪测量样品介电特性随频率、温度及偏置电压的变化关系,结果表明:Ho掺杂样品的室温相对介电常数(εr)比未掺杂的显著提高,测量频率为40Hz时,Bi0.9Ho0.1FeO3陶瓷样品的εr提高了1个数量级;观测到样品的介电峰,掺杂后介电峰向低温移动且强度显著增加,表明Ho掺杂在降低样品反铁磁Néel温度的同时增强了磁电耦合效应。讨论样品εr随偏置直流电压的变化关系,掺杂后出现明显的介电回滞现象,Ho掺杂可提高样品的剩余极化强度,改善样品的铁电性质。
- 常方高胡棚王丹丹宋桂林朱美玲
- 关键词：掺杂介电特性偏置电压
