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李丽丽

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇重离子
  • 2篇单粒子
  • 2篇单粒子效应
  • 2篇入射
  • 2篇随机存储器
  • 2篇微束
  • 2篇芯片
  • 2篇脉冲信号
  • 2篇静态随机存储...
  • 2篇辐照技术
  • 2篇存储器
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇制冷
  • 1篇制冷剂
  • 1篇制冷装置
  • 1篇束流
  • 1篇温度效应
  • 1篇温控技术
  • 1篇冷剂
  • 1篇加速器

机构

  • 5篇中国原子能科...
  • 2篇国防科学技术...

作者

  • 5篇惠宁
  • 5篇史淑廷
  • 5篇刘建成
  • 5篇郭刚
  • 5篇蔡莉
  • 5篇李丽丽
  • 3篇沈东军
  • 3篇韩金华
  • 2篇池雅庆
  • 2篇陈泉
  • 2篇郭红霞
  • 2篇柳卫平
  • 2篇欧阳晓平
  • 2篇张艳文
  • 1篇吴振宇
  • 1篇何安林
  • 1篇范辉

传媒

  • 2篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
2017年
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
关键词:静态随机存储器重离子
温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响被引量:2
2018年
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。
蔡莉刘建成覃英参李丽丽郭刚史淑廷吴振宇池雅庆惠宁范辉沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转温度效应静态随机存储器
一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
本发明属于重离子微束辐照技术领域,具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路,定位测试电路的边缘内部为敏感区域,重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
文献传递
一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
本发明属于重离子微束辐照技术领域,具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路,定位测试电路的边缘内部为敏感区域,重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
一种用于单粒子效应辐照实验的样品座
本实用新型属于单粒子效应辐照实验温控技术领域,具体涉及一种用于单粒子效应辐照实验的样品座,用于在加速器的真空靶室(11)中对进行单粒子效应辐照实验的样品芯片(12)进行温度控制,其特征是:所述样品座(1)的上半部分为设置...
蔡莉郭刚刘建成史淑廷惠宁李丽丽
文献传递
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