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杨宏
作品数:
12
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供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
胡彦飞
西安电子科技大学
李龙
西安电子科技大学
张沛
西安电子科技大学
刘海霞
西安电子科技大学
廖勇
重庆大学
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杨宏
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胡彦飞
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基于无线英特网服务器的基础服务集节能站点性能研究
研究了独立的无线局域网基础服务集内无线互联网服务提供商服务器对具有节能工作模式的无线站点性能的影响,并完整地分析了节能站点和活跃站点在同一个信标帧间隔内基于分布式协调功能接入信道的工作原理,同时通过网络模拟器对背景传输发...
廖勇
杨宏
李平
魏海波
关键词:
WLAN
QOS
互联网服务提供商
一种垂直型4H-SiC光导开关
本发明公开了一种垂直型4H‑SiC光导开关,包括SiC衬底、正面电极、钝化层和背面电极,正面电极位于SiC衬底的上表面,钝化层位于SiC衬底的上表面,并设置在正面电极的边缘处;背面电极位于SiC衬底的下表面;其中,正面电...
胡彦飞
党悦心
张鑫鑫
王佳硕
杨宏
基于无线英特网服务器的基础服务集节能站点性能研究
研究了独立的无线局域网基础服务集内无线互联网服务提供商服务器对具有节能工作模式的无线站点性能的影响,并完整地分析了节能站点和活跃站点在同一个信标帧间隔内基于分布式协调功能接入信道的工作原理,同时通过网络模拟器对背景传输发...
廖勇
杨宏
李平
魏海波
关键词:
WLAN
QOS
互联网服务提供商
文献传递
一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法
本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法,包括:获取碳化硅外延片;对碳化硅外延片的Si面进行加热,得到加热后的碳化硅外延片;通入Ar气,并对加热后的碳化硅外延片进行冷却,得到冷却后的碳化硅外延片;对冷却后的碳化硅...
胡彦飞
杨宏
马云诚
张鑫鑫
党悦心
一种光导开关及其制备方法
本发明涉及一种光导开关及其制备方法,光导开关包括:衬底层、石墨烯层、阳极和阴极,其中,石墨烯层位于衬底层的上表面;阳极为环形结构,位于石墨烯层的上表面;阴极位于衬底层的下表面。本发明通过在衬底层和阳极之间设置石墨烯层,使...
胡彦飞
张鑫鑫
党悦心
杨宏
马云诚
一种小尺寸的超宽带可植入天线
本发明公开了一种小尺寸的超宽带可植入天线,包括介质基板、金属谐振单元和波端口,所述的金属谐振单元由第一金属分离谐振环和第二金属分离谐振环组成;所述的第一金属分离谐振环和第二金属分离谐振环分别位于介质基板外侧的上表面和下表...
李龙
王梦凡
张雪芳
刘海霞
张沛
洪向宇
杨宏
蒋志颀
文献传递
一种优化4H-SiC厚膜外延片少子寿命的方法
本发明涉及一种优化4H‑SiC厚膜外延片少子寿命的方法,包括:对4H‑SiC厚膜外延片进行预处理,去除4H‑SiC厚膜外延片表面的杂质和机械划痕;利用氯气与预处理后的4H‑SiC厚膜外延片反应后进行退火处理,得到少子寿命...
胡彦飞
杨宏
马云诚
张鑫鑫
党悦心
一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法
本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法,包括:获取碳化硅外延片;对碳化硅外延片的Si面进行加热,得到加热后的碳化硅外延片;通入Ar气,并对加热后的碳化硅外延片进行冷却,得到冷却后的碳化硅外延片;对冷却后的碳化硅...
胡彦飞
杨宏
马云诚
张鑫鑫
党悦心
一种SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底;外延层,位于衬底的第一表面;第一石墨烯层,位于外延层背离衬底的表面,沿平行于衬底的方向,间隔排布有两个第一石墨烯层;源极,位于第一石墨...
胡彦飞
张鑫鑫
党悦心
杨宏
马云诚
一种小尺寸的超宽带可植入天线
本发明公开了一种小尺寸的超宽带可植入天线,包括介质基板、金属谐振单元和波端口,所述的金属谐振单元由第一金属分离谐振环和第二金属分离谐振环组成;所述的第一金属分离谐振环和第二金属分离谐振环分别位于介质基板外侧的上表面和下表...
李龙
王梦凡
张雪芳
刘海霞
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