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王禄

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇RHEED
  • 1篇INAS量子...

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇刘景民
  • 1篇李美成
  • 1篇赵连城
  • 1篇熊敏
  • 1篇王禄

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析被引量：4
2008年
介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用。
李美成王禄熊敏刘景民赵连城
关键词：分子束外延INAS量子点
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