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李胜

作品数：46 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 24篇金属
  • 16篇电极
  • 15篇半导体
  • 12篇异质结
  • 11篇沟道
  • 11篇半导体器件
  • 8篇氮化镓
  • 8篇功率半导体
  • 7篇电流
  • 7篇功率半导体器...
  • 6篇重掺杂
  • 6篇晶体管
  • 5篇电路
  • 5篇耐压
  • 5篇金属电极
  • 5篇高耐压
  • 4篇电阻
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅

机构

  • 46篇东南大学
  • 7篇东南大学—无...
  • 2篇无锡华润上华...

作者

  • 46篇李胜
  • 35篇孙伟锋
  • 35篇刘斯扬
  • 32篇时龙兴
  • 18篇张弛
  • 9篇陆生礼
  • 8篇钱乐
  • 5篇叶然
  • 2篇杨卓
  • 2篇薛颖
  • 2篇童鑫
  • 1篇宋海洋

年份

  • 5篇2025
  • 11篇2024
  • 3篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高耐压能力的异质结半导体器件
本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入...
刘斯扬李胜张弛陶心怡李宁波孙伟锋时龙兴
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一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管
本发明公开了一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管，自下而上包括：宽禁带半导体材料衬底层，第三阳极沟槽，宽禁带半导体材料外延层及其上的周期性第一阳极沟槽和第二阳极，第一阳极沟槽和宽禁带半导体材料外延层的上表面依次设有...
孙伟锋宋风雷李胜李明飞刘斯扬
一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管
一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体...
刘斯扬方云超杨翰琪李胜叶然孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种异质结半导体器件热阻测量电路及方法
本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电极电流随时间的变化率作为结温的...
李胜陆伟豪张弛刘斯扬孙伟锋时龙兴
一种具有高功率密度的超宽禁带半导体器件
本发明公开了一种具有高功率密度的超宽禁带半导体器件，包括：金刚石半绝缘衬底层，异质互补型的功率器件和逻辑器件，肖特基二极管，异质互补型功率器件由氧化镓耗尽型功率器件和金刚石增强型功率器件级联组成，异质互补型逻辑器件包括：...
刘斯扬李明飞李胜张子康孙伟锋时龙兴
一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电...
孙伟锋张弛辛树轩李胜钱乐葛晨刘斯扬时龙兴
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一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件
本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次...
孙伟锋钱乐张弛李胜辛树轩葛晨刘斯扬时龙兴
一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电...
孙伟锋张弛辛树轩李胜钱乐葛晨刘斯扬时龙兴
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一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件
本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二...
李胜杨皓翔马岩锋刘斯扬孙伟锋时龙兴
一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管
本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分...
刘斯扬汤丽芝李胜张弛魏家行孙伟锋陆生礼时龙兴
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