王溪
- 作品数：18 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院国防科技创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 金属框结构对碲镉汞红外焦平面调制传递函数的影响被引量：3
- 2018年
- 调制传递函数(MTF)值是表征碲镉汞(HgCdTe)红外探测器成像性能的重要参数。串音是减小探测器MTF值的主要因素之一。合理的器件结构设计可有效地抑制串音,从而提高器件MTF值。介绍了一种含金属框结构的HgCdTe红外焦平面探测器,该器件可有效吸收横向扩散光生载流子并减小器件的串音干扰。对含金属框结构的器件和无金属框结构的器件进行MTF测试及对比分析。测试结果表明,与无金属框结构的器件相比,含金属框结构的器件的MTF值得到显著提高。
- 张瞳林春林春陈洪雷孙常鸿林加木
- 关键词：探测器调制传递函数红外焦平面串音
- 用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统
- 本发明公开一种用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统，涉及数据处理技术领域。本发明可以对含多级冷屏且窗口和冷屏开孔为任意形状的杜瓦内探测器响应率测试结果进行校正，其中，对窗口面进行网格划分，计算每个窗口面网格单...
- 孙常鸿李辉豪王溪叶振华廖清君丁瑞军何力
- 一种碲镉汞双层组分异质结构的制备方法
- 本发明涉及一种碲镉汞双层组分异质结构的制备方法，通过离子注入在碲镉汞材料表面形成掺杂区域；通过杂质分布调控退火调节杂质分布；在碲镉汞表面生长碲化镉薄膜；之后通过扩散退火使碲化镉和碲镉汞发生互扩散，去除碲化镉薄膜，形成具有...
- 李珣林春王溪魏彦锋解晓辉周松敏孙权志朱立祁
- 一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法
- 本发明公开了一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用背部高组分互扩散的碲镉汞材料，经离子注入形成n<Sup>+</Sup>区后推结退火形成雪崩探测器n<Sup>‑</Sup>倍增区，通过控制推结...
- 朱立祁林春林加木王溪周松敏黄健陈路何力
- HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
- 2017年
- 报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
- 翁彬周松敏王溪陈奕宇李浩林春
- 关键词：HGCDTE干法刻蚀
- 利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管被引量：2
- 2019年
- 碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1 000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子.
- 李浩林春林春周松敏王溪
- 关键词：HGCDTE雪崩光电二极管离子束刻蚀增益
- 一种碲化镉薄膜的制备方法及设备
- 本发明涉及一种碲化镉薄膜的制备方法及设备，利用垂直磁控溅射设备制备碲化镉薄膜，先将样品台和射频台的距离调节至理论最佳值，然后调节溅射功率、工艺压强和衬底温度，获得高质量的薄膜。解决了现有技术中制备的碲化镉薄膜经进行互扩散...
- 邓漫君周松敏王溪林春解晓辉赵玉
- 长波碲镉汞红外探测器低光通量下的性能研究
- 2024年
- 为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量下的黑体响应性能。最后,对比分析不同光通量下性能参数如响应率、波段探测率性能参数的变化,并给出了器件工作温度改变对器件性能影响的结果。测试结果表明,对于10.8μm@50K的碲镉汞焦平面探测器,在器件工作温度50K,光通量密度为5.8×10^(14)ph·s^(-1)·cm^(-2)条件下,器件波段探测率达到峰值1.5×10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),此时探测率不再随积分时间的增加而提高。实验计算结果及相关参数可为探测器应用提供参考。
- 魏佳欣林春王溪林加木周松敏李珣
- 关键词：长波碲镉汞
- 碲镉汞雪崩焦平面器件被引量：5
- 2019年
- 碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.
- 李浩林春林春郭慧君周松敏陈洪雷王溪陈洪雷魏彦锋陈路
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管焦平面
- 通过成结模拟器研究n^(+)-n^(-)-p碲镉汞高温探测器
- 2024年
- 第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(+)-n^(-)-p结构地高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80 K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150 K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。
- 林加木周松敏王溪甘志凯林春丁瑞军
- 关键词：碲镉汞红外焦平面
