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陈黄鹂

作品数:5 被引量:7H指数:1
供职机构:西安电力电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇特高压
  • 2篇晶闸管
  • 2篇控制图
  • 2篇SCR
  • 1篇英寸
  • 1篇射频功率
  • 1篇匹配网络
  • 1篇结终端
  • 1篇可靠性
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀设备
  • 1篇管类
  • 1篇反射功率
  • 1篇高可靠
  • 1篇高可靠性
  • 1篇SPC

机构

  • 5篇西安电力电子...

作者

  • 5篇陈黄鹂
  • 3篇赵涛
  • 2篇赵卫
  • 1篇王正鸣
  • 1篇张琦

传媒

  • 3篇价值工程
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇内江科技

年份

  • 4篇2018
  • 1篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用
2018年
本文介绍了SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用。并以对SCR磷扩散工艺方块电阻的控制为例,详细讲述了如何进行SPC多阶嵌套模型数据采集、计算、控制图绘制及过程能力分析。证明采用此方法可以很好地解决以前扩散工艺存在的数据采集不全面、分析不准确的问题。
陈黄鹂赵卫赵涛种晓辉
关键词:控制图SCRSPC
6英寸特高压晶闸管类台面负角造型研究被引量:1
2018年
本文论述了目前最为先进的晶闸管结终端造型技术——类台面负角造型技术,此技术与传统负角造型技术相比可以为6英寸特高压晶闸管节省9.2%的有效阴极通流面积,提高8.4%的表面阻断转折电压。类台面造型最佳深度在芯片扩散p-n结结深值附近,但不能超过结深。
陈黄鹂赵涛种晓辉蔡彬刘航辉
关键词:特高压晶闸管
最新特高压晶闸管被引量:5
2016年
研究使晶闸管有效面积比极大化的阴极图形及结终端结构设计和工艺技术,实质性提高特高压(UH-V)晶闸管综合性能参数水平,易于折中协调突出重点性能参数。研制成6.3 kA/7.5 kV及5.5 kA/8.5 kV最新UHV晶闸管,可完全满足最新+800 kV,6.25 kA,10 GW及±1 100 kV,5.5 kA,12.1 GW换流阀的应用要求。
王正鸣陈黄鹂
关键词:晶闸管结终端
SPC技术在高可靠性SCR生产中的应用被引量:1
2018年
本文介绍了在高可靠性SCR生产过程中应用的SPC(统计过程控制)技术。以对硅腐蚀厚度的控制为例,详细讲述了如何进行SPC数据采集、计算、控制图绘制及分析。
陈黄鹂蔡彬刘航辉
关键词:控制图
刻蚀设备中射频功率全态输出技术的研究
2018年
本文主要讲述了刻蚀设备在进行工艺时,射频发生器产生的射频信号输出到自动匹配网络,然后输入到工艺腔室的下电极。在整个刻蚀过程中,反射功率无限小,射频功率全态输出,不仅损耗减少,而且可以提高刻蚀效率。
赵涛陈黄鹂张琦赵卫
关键词:反射功率
共1页<1>
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