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周飞
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1
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供职机构:
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张军
西北工业大学材料学院凝固技术国...
刘林
西北工业大学材料学院凝固技术国...
傅恒志
西北工业大学材料学院凝固技术国...
苏海军
西北工业大学材料学院凝固技术国...
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张军
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1篇
2010
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湿法腐蚀制备Si-TaSi_2场发射阴极阵列的工艺研究
2010年
阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski(Cz)法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料,采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度,研究了不同腐蚀条件对Si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响,获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺,并对其场发射性能进行了测试。结果表明:在室温17℃,腐蚀液配比v(HF)∶v(HNO3)=1∶4,腐蚀时间15 min下得到了高长径比的TaSi2尖锥,阵列具有较好的场发射性能,开启场强为3.84 V/μm。
周飞
张军
苏海军
刘林
傅恒志
关键词:
湿法腐蚀
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