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0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化被引量：1: 2012年; 通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。; 寇春梅李洪霞; 关键词：DOE 均匀性

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李洪霞