刘楠
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上海航天技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种过电应力导致的运算放大器失效分析
- 本文针对一种运算放大器的失效问题进行了分析.针对2只失效运放进行了Ⅳ特性测试,2只器件的3脚和5脚均为反向二极管特性正常,正向二极管特性不存在.与正常样品进行对比,正常样品的对应引脚正向和反向二极管特性均正常,由此证明器...
- 廉鹏飞罗宇华孔泽斌刘楠杨亮亮
- 关键词：运算放大器
- 一种集成稳压器的失效机理分析
- 2018年
- 对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点。采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端到公共端存在电流通路的等效电路,计算并仿真了等效电路的I-V模型,测试结果表明,仿真I-V特性曲线与实际I-V特性曲线高度一致。通过复现试验,确认了导致稳压器失效的原因是输入端的高能量外部过电应力致使过热保护管开启,并在过流与过热的条件下产生与电流方向一致的电迁移痕迹,从而使过热保护管的集电极和发射极短路,引发稳压器失效。
- 廉鹏飞刘楠孔泽斌吉裕晖陈萝娜
- 关键词：集成稳压器过热保护电迁移
- 由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析被引量：4
- 2015年
- 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。
- 刘楠刘大鹏张辉祝伟明
- 关键词：闩锁效应
