张得玺
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真被引量：2
- 2016年
- 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：击穿电压导通电阻阈值电压
- 一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：3
- 2015年
- 针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：终端结构场限环
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
- 分析了P沟道VDMOS器件的元胞结构参数与设计指标之间关系.采用Silvaco的Atlas模块对该器件的元胞结构参数和电学性能进行模拟和优化,并根据实际情况确定了器件元胞的最佳结构参数.基于这些的仿真结果,利用Silva...
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件自对准工艺击穿电压导通电阻
