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InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究被引量：1: 2011年; 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构。室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm处的强发光峰,其峰位与多量子阱薄膜相比发生了明显的蓝移。I-V测量表明,多量子阱纳米线LED具有典型的p-n结伏安特性,在20 mA注入电流下,开启电压为4.28 V,且与多量子阱LED的绿色发光相比,其电致发光偏紫色。; 曹瑞华殷垚陈鹏万青濮林施毅郑有炓; 关键词：发光二极管

Ⅲ族氮化物半导体纳米线制备及物性研究: 一维半导体纳米材料具有许多独特的物理性质(如量子尺寸限制效应、晶格应变)，已成为物理、化学、生物等各个领域的研究热点。　　本论文工作利用SiO2纳米图形层作为模板，通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)选择外延生长...; 曹瑞华; 关键词：纳米线发光二极管

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曹瑞华