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王永祺

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇太赫兹
  • 1篇太赫兹光谱
  • 1篇离子辐照
  • 1篇光电
  • 1篇光电导天线
  • 1篇光谱
  • 1篇赫兹
  • 1篇SI-GAA...
  • 1篇MEV

机构

  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇马明旺
  • 1篇曹建清
  • 1篇陈西良
  • 1篇朱智勇
  • 1篇杨康
  • 1篇杨树敏
  • 1篇王永祺

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
1.5 MeV He^+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线
2010年
用1.5MeV He+离子注入半绝缘砷化镓晶体(SI-GaAs),以其为基体制成光电导天线。太赫兹时域光谱测量显示,以离子注入晶体为基体的光电导天线,其时域信号强度是未注入晶体的3倍,略强于以LT-GaAs晶体为基体的光电导天线,但拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线略宽的频谱宽度和相当的信噪比。实验结果表明,用1.5MeV He+室温注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线的最佳注量约为1×1016ions·cm-2。
杨康陈西良马明旺杨树敏曹建清王永祺朱智勇
关键词：离子辐照太赫兹光谱光电导天线
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