胡松祥
- 作品数：6 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 放大器芯片
- 本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所...
- 赵瑞华卜爱民由利人王磊白锐宋学峰徐达李丰汤晓东周瑞胡松祥马伟宾郝俊祥王亚君杨旭达
- MEMS铜基微同轴传输线性能仿真及测试被引量：7
- 2019年
- 研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统。设计了特性阻抗为50Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC^110 GHz内低于1.15。且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB。采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC^40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统。
- 胡松祥王建史光华徐达周彪
- 关键词：插损隔离度
- 一种波导内阻抗匹配的0.4THz宽带倍频器
- 2025年
- 为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求,基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构,解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。二倍频器采用反向偏置工作模式,通过优化散射参数的相位一致性,提高了谐波合成效率。设计了0.4 THz宽带的E面探针过渡和直流偏置的集成复合结构,采用紧凑型谐振器结构低通滤波器实现悬置带线至波导的高效转换,并抑制了信号泄漏。测试结果表明,在0.37~0.43 THz工作频带内,二倍频器实现了3.4%以上的转换效率,最高转换效率达6.7%,峰值输出功率为4.4 mW,为太赫兹频段宽带二倍频器设计提供了新的解决方案。
- 胡松祥宋旭波顾国栋顾国栋冯志红
- 关键词：GAAS
- 放大器芯片
- 本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所...
- 赵瑞华卜爱民由利人王磊白锐宋学峰徐达李丰汤晓东周瑞胡松祥马伟宾郝俊祥王亚君杨旭达
- 文献传递
- SiC MOSFET器件双脉冲测试开关特性研究被引量：1
- 2025年
- SiC MOSFET器件作为第三代半导体器件,其优异的开关性能和耐高压、耐高温能力使得其在新能源汽车、充电桩、电力电子设备中得到广泛应用。SiC MSOFET器件作为开关器件,其最重要的特性即是开关特性。SiC MOSFET器件的开关特性除开关时间与开关能量外,由于器件的开关态导致的高尖峰电压与尖峰电流也是影响器件使用可靠性的重要参数。器件开关时间与能量决定系统的开关效率,开关过程中产生的尖峰电压与尖峰电流决定了器件是否能安全工作。本文通过双脉冲测试系统对SiC MOSFET器件的开关特性进行了研究,通过改变器件栅极电阻、漏极电压、漏极电流值分析了变量对器件开关性能及尖峰电压与尖峰电流的影响,总结相关规律,为SiC MOSFET器件的设计、生产和使用单位综合评估器件开关性能提供了参考。
- 胡松祥迟雷迟雷安伟桂明洋彭浩
- 关键词：开关特性
- 新型预失真功率放大器的研制被引量：1
- 2012年
- 针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器。首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理;然后给出了线性功率放大器的具体设计方案,功率放大器的频率范围为2 280～2 300 MHz,饱和输出功率为14 W,在1 dB功率压缩点(P-1)的情况下测得此功率放大器自身的三阶交调失真比为-12 dBc。实验结果表明,引入这种新型预失真技术后,线性功率放大器在P-1下的三阶交调失真比达到-20.78 dBc,三阶交调失真改善量约9 dB。证明了这种新型预失真技术方案有效并给出了这种新型线性化技术的前景与改进措施。
- 胡松祥樊永山沈林泽吴景峰
- 关键词：功率放大器自适应预失真技术线性功放三阶交调
