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谷婷

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：宁波大学更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇相变存储
  • 3篇晶态
  • 3篇SUB
  • 2篇化学结构
  • 2篇化学结构式
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射功率
  • 1篇稀土
  • 1篇高结晶
  • 1篇掺杂
  • 1篇沉积态
  • 1篇LT

机构

  • 3篇宁波大学

作者

  • 3篇王国祥
  • 3篇王慧
  • 3篇吕业刚
  • 3篇沈祥
  • 3篇谷婷
  • 2篇李超
  • 1篇陈飞飞

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种稀土Er掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>2...
谷婷王国祥刘画池沈祥吕业刚李超王慧
ZnO掺杂Ge&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Sb&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;5&lt;/sub&gt;相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了ZnO掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(ZnO)<Sub>x</Sub>(GST)<Sub>100‑x...
王正来王国祥王慧沈祥谷婷吕业刚陈飞飞
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一种稀土Er掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>2...
谷婷王国祥刘画池沈祥吕业刚李超王慧
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