洪玮
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信更多>>
- Y^(3+)掺杂高介低损耗钛酸锶钡陶瓷的研究被引量：4
- 2017年
- 为获得高介电常数低介电损耗的钛酸锶钡陶瓷,采用固相反应法制备了Y^(3+)掺杂BST_(60),BST_(65),BST_(70)陶瓷。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪,对陶瓷的微观结构和介电性能进行了测量。研究发现,Y^(3+)的掺入并未改变陶瓷母体结构,Y^(3+)在BST中形成了连续固溶体。最佳烧结温度处,随Ba/Sr比增大,晶粒尺寸增加;同一Ba/Sr比下,掺杂Y^(3+)能促进晶粒生长,由开始的平均1μm增大为3μm^4μm,尺寸连续分布,致密度提高。适量Y^(3+)掺杂有利于提高材料介电常数,降低介电损耗。当烧结温度为1450℃,Y^(3+)掺杂量为0.3%(摩尔分数)时,BST_(70)陶瓷相对密度为95.7%,介电常数最大为27891;此时BST_(65)介电常数为17811,损耗最小为0.00869,频率稳定性最好。
- 张娟刘军吴伟骏洪玮姜楠骆英
- 关键词：稀土钛酸锶钡介电常数介电损耗Y2O3
- 石墨烯/钛酸锶钡/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能研究被引量：3
- 2017年
- 首先制备了硅烷偶联剂改性后的石墨烯和钛酸锶钡粉体,然后采用溶液混合法制备了石墨烯/钛酸锶钡/聚偏氟乙烯薄膜,并且对复合薄膜的微观结构、介电性能和热稳定性进行测定和分析。结果表明:硅烷偶联剂成功接枝到石墨烯和钛酸锶钡粉体表面,石墨烯和钛酸锶钡粉体能够较好的分散在聚偏氟乙烯基体中,石墨烯的加入可以大幅度提高材料的介电性能。在石墨烯质量分数为4.06%时,复合薄膜的介电常数达到515,介电损耗为0.6。在质量分数4.14%时发生了渗流现象,介电常数达到1500,介电损耗也达到了5左右。石墨烯的加入大幅度提升了复合材料的介电性能,并且在常用温度范围内具有良好的温度稳定性。
- 洪玮彭波刘军姜楠骆英
- 关键词：聚偏氟乙烯石墨烯钛酸锶钡介电性能
- Y^(3+)掺杂BST/ZrO_2复合薄膜的制备及介电性能研究
- 2016年
- 运用溶胶-凝胶法在Si/SiO_2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y^(3+)的单层Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO_2复合薄膜。研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y^(3+)后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y^(3+)为1mol%时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125。BST/ZrO_2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO_2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051。
- 姜楠刘军洪玮张娟吴伟骏林鹏飞骆英
- 关键词：溶胶-凝胶法BST薄膜介电性能
- 多孔氮化硅陶瓷的制备及应用现状被引量：11
- 2016年
- 综述了多孔氮化硅陶瓷目前的研究进展,介绍了添加造孔剂法,成型和烧结工艺中造孔法,干燥及其它工艺造孔法等方法制备多孔氮化硅陶瓷,最后展望了多孔氮化硅陶瓷在催化剂载体,气体过滤器以及航空透波材料等领域的应用。
- 吴伟骏刘军张娟姜楠洪玮
- 关键词：多孔氮化硅
