辛彬
- 作品数：6 被引量：29H指数：3
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
- 相关领域：兵器科学与技术机械工程金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 单晶硅的放电加工条件与试验研究被引量：2
- 2022年
- 针对某类牌号的单晶硅材料在放电加工系统中无法实现放电的问题,本文提出一种单晶硅放电加工临界电导率σ的界定方法,系统性地揭示了单晶硅的电导率σ是影响放电通道击穿并形成火花放电的根本原因。结合半导体物理理论,系统性地分析了单晶硅放电加工系统中从极间电场的建立到极间等离子体放电通道的形成过程;引入阴极场致电子发射理论,建立了单晶硅放电加工系统极间电流密度J与单晶硅电导率σ的物理模型,仿真分析了临界电流密度J与单晶硅电导率σ之间的关系;结合实际加工过程对模型进行了验证,验证结果表明该模型可确定单晶硅放电加工的临界电导率,以此界定单晶硅的可加工性。
- 辛彬刘巍宋玉贵
- 关键词：放电加工单晶硅场致发射等离子体通道电导率
- 室外用立靶密集度参数测量技术研究进展被引量：16
- 2013年
- 立靶密集度参数是衡量武器战术性能的重要指标.对该参数的测量方法的研究分为室内用和室外用两种,评述了国内外关于室外用立靶密集度测量技术的研究进展,总结了CCD交汇测量原理与光幕阵列测量原理的研究工作,分析了系统组成方式以及测量多目标的研究进展情况,展望了相关研究的前景.
- 倪晋平辛彬冯斌
- 关键词：立靶射击密集度靶场试验
- 单晶硅等离子体放电去除机制研究
- 2023年
- 针对单晶Si在接触式化学机械抛光与非接触式等离子体抛光过程中表面易引入化学元素残留、微划痕及材料去除速率低等问题,提出一种单晶Si等离子体放电去除的非接触式绿色抛光方法。在脉冲电压大于100 V的水基工作液介质中,高阻态隔离蒸汽层因电子通量的小曲率汇聚而导致击穿并诱发氧等离子体通道,阳极单晶Si表面微区凸起位置因氧等离子体增强阳极化学反应而生成SiO_(2)疏松膜,脉冲间歇期等离子体通道因受近壁面水基工作液介质冷激液化致塌陷,同时形成空化微射流压力对疏松膜进行纳米尺度剥离。通过对样件处理一定的时间后,样件表面粗糙度可达1.54 nm,并且样件表面不会引入新的化学元素,为脆硬性材料的平面/非平面超精密加工提供一种绿色非接触式方法。
- 翟志波刘菲菲贾国平辛彬王艳辉
- 关键词：放电机理等离子体单晶硅
- 一种测速用差分线圈传感器及其性能研究被引量：4
- 2020年
- 针对目前靶场常规测速线圈传感器易受外界环境电磁干扰,导致测试精度降低、可靠性变差的问题,提出了一种差分结构的新型测速线圈传感器。详细介绍了差分式测速线圈的测速原理以及结构组成,并运用Ansoft软件建立了差分式线圈的物理模型,分析了新传感器的工作原理与性能特点。深入研究了弹丸入射方向与线圈平面法线不同夹角和不同偏移量的情况下,线圈的输出响应特性。实际速度测试试验证明,相同测试条件下,新结构的传感器信噪比为27.734 dB,相比常规线圈传感器提高11.809 dB,相对测速精度达到0.15%,对弹丸测速具有更好的抗噪性,对于实际应用具有更强的鲁棒性。
- 宋玉贵王永辛彬开百胜张太然
- 关键词：线圈靶抗干扰差分式
- 等离子体电化学抛光参数对GH2787变形高温合金的影响分析
- 2025年
- 通过对GH2787合金材料表面进行等离子体电化学抛光试验,分别利用光学显微镜、X射线衍射仪(XRD)和电化学极化曲线测量技术对其表面形貌、相结构、残余应力和耐蚀性进行了表征。结果发现:在电解液浓度ω=5%、加热温度T=80℃、抛光时间t=5 min、电压U=260、280和300 V条件下,等离子体电化学抛光可快速将表面粗糙度Ra从530 nm降低至63.8 nm,基体表面未产生新的物相,并且残余应力、近表面硬度与初始状态相当,基体耐蚀性提高。该抛光方法为表面改性提供了良好基础,分析了电压对抛光效果和基体材质的影响:电压较低时,对材料去除速率较慢,升高至300 V时,基体材料吸氢增加且腐蚀速率未进一步提升。本试验采用的最佳抛光参数:U=280 V,ω=5%,T=80℃,t=5 min。
- 李欣潘娜邓娟程鑫蒋玉平辛彬
- 关键词：氢含量变形高温合金耐蚀性
- 弹跳弹丸近地炸点高度光电测量方法研究被引量：7
- 2012年
- 针对测量弹跳弹丸空中炸点高度的难题,提出一种光电测量方法。该方法利用弹丸落地弹跳后在空中做匀减速运动建立数学模型,通过声传感器、光幕靶、火焰探测器和双路测时仪测量弹丸在空中几个特征点的时间间隔,配合光幕靶的靶距等布靶结构参数,利用测量公式计算出空中炸点高度。文中对所提方法进行了测量不确定度分析,经理论分析,系统的测量不确定度小于20mm。结果证明该方法测量精度高、实时性好、可靠性高,仪器布放简便,所用设备均为靶场常用测试设备,易于工程化实现。文中介绍的方法适用于一类落地后再次弹跳后爆炸和民用礼花弹空中炸高的测量场合。
- 田会倪晋平辛彬
- 关键词：弹丸光幕靶
