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赵杨杨

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 8篇栅结构
  • 8篇场板
  • 7篇氧化层
  • 6篇亚微米
  • 6篇微米
  • 6篇刻蚀
  • 6篇场板结构
  • 5篇选择性刻蚀
  • 5篇栅氧化
  • 5篇栅氧化层
  • 5篇射频
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇薄栅
  • 4篇掺杂
  • 3篇自对准
  • 3篇外延层
  • 3篇硅衬底
  • 3篇合金
  • 3篇高频

机构

  • 19篇中国电子科技...

作者

  • 19篇赵杨杨
  • 18篇刘洪军
  • 12篇应贤炜
  • 8篇王佃利
  • 6篇盛国兴
  • 2篇吕勇
  • 1篇王霄
  • 1篇杨勇

年份

  • 4篇2022
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频LDMOS的PolySi薄栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的PolySi薄栅结构，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成自上而下的PolySi/SiO<Sub>2</Sub>/PolySi三明治栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除三明治栅结构...
刘洪军赵杨杨王佃利应贤炜
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一种射频LDMOS晶体管的场板结构及其制备方法
本申请涉及一种射频LDMOS晶体管的场板结构及其制备方法，具体包括在硅衬底外延层表面制备氧化层台阶，并在外延层和氧化层台阶上方覆盖金属，通过选择性刻蚀形成场板结构。本发明提出的场板结构有助于降低界面电场，提高了器件的源漏...
赵杨杨鞠久贵刘洪军
一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法
本发明是一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法，在硅衬底外延层表面的中间位置形成锥形氧化层，通过对外延层和锥形氧化层上方覆盖的掺杂多晶硅进行选择性刻蚀，形成分离的栅和场板结构，其中，场板位于锥形氧化层上方，栅位于...
赵杨杨刘洪军庸安明应贤炜
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一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法
本发明涉及一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法，包括半导体衬底、热氧化SiO<Sub>2</Sub>、多晶硅、淀积SiO<Sub>2</Sub>、金属，刻蚀半导体衬底表面形成台阶，在台阶拐角处形成侧壁栅，并通过选择...
刘洪军赵杨杨
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一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法
本发明公开了一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法，该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO<Sub>2</Sub>介质的硅衬底，在硅衬底上方中间部位具有SiO<Sub>2</Sub>介质保护层，基极多晶硅层位于Si...
刘洪军应贤炜赵杨杨盛国兴
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一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法
本发明公开了一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法，该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO<Sub>2</Sub>介质的硅衬底，在硅衬底上方中间部位具有SiO<Sub>2</Sub>介质保护层，基极多晶硅层位于Si...
刘洪军应贤炜赵杨杨盛国兴
一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法
本发明是一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法，在硅衬底外延层表面的中间位置形成锥形氧化层，通过对外延层和锥形氧化层上方覆盖的掺杂多晶硅进行选择性刻蚀，形成分离的栅和场板结构，其中，场板位于锥形氧化层上方，栅位于...
赵杨杨刘洪军庸安明应贤炜
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一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法
本发明涉及一种射频LDMOS的侧壁栅结构及其制备方法，包括半导体衬底、热氧化SiO<Sub>2</Sub>、多晶硅、淀积SiO<Sub>2</Sub>、金属，刻蚀半导体衬底表面形成台阶，在台阶拐角处形成侧壁栅，并通过选择...
刘洪军赵杨杨
一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法
本发明公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆...
赵杨杨刘洪军应贤炜盛国兴
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一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法
本发明涉及一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法，其特征在于，对于通过两次湿氧进行平坦化后的掩蔽介质，利用图形边缘腐蚀速率高于中间，边缘鸟嘴处氮化硅厚度大于图形中间位置的特点，采用两次磷酸腐蚀的方法，将氮化硅去除...
吕勇赵杨杨刘洪军王佃利严德圣庸安明梅海
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