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黎艳

作品数：1 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射线衍射
  • 1篇缓冲层
  • 1篇SIC衬底
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ALN
  • 1篇ALN缓冲层
  • 1篇GAN
  • 1篇MOCVD
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇天津中环新光...

作者

  • 1篇陈弘
  • 1篇江洋
  • 1篇陈耀
  • 1篇徐培强
  • 1篇马紫光
  • 1篇黎艳

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10
2011年
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。
陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘
关键词：GANALNSIC衬底MOCVDX射线衍射
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