针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad(Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad(Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化,发现随着总剂量的增加,探测器的暗电流有所增大,响应度有所降低,整体性能略有下降,但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理,为后续In Ga As探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。
为获取高信噪比的气溶胶遥感数据,针对光谱仪成像系统链路分析了影响云与气溶胶探测仪信噪比的关键因素。结合光谱仪成像电路系统的响应模型,确定了电子学系统信噪比的表达式,针对可见探测器和红外探测器。提出了模块化的高信噪比成像光谱仪电路系统的设计方法,并描述了云与气溶胶探测仪成像电路系统从总体设计到模块设计的完整研制方案。对云与气溶胶探测仪进行辐射定标试验,试验结果表明:可见单机各通道在典型辐亮度条件下最小信噪比为50.9 dB,红外单机各通道在典型辐亮度条件下最小信噪比为62.3 d B,满足指标要求。针对可见探测器和红外探测器的成像电路系统设计方法对其他光谱仪电路系统设计具有借鉴意义。
