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杨洪

作品数：13 被引量：15H指数：3
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 8篇图像
  • 8篇图像传感器
  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 7篇CCD
  • 6篇CCD图像
  • 6篇CCD图像传...
  • 4篇电荷耦合
  • 4篇电荷耦合器
  • 4篇电荷耦合器件
  • 4篇内线
  • 2篇电特性
  • 2篇数值模拟
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光CCD
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇值模拟
  • 1篇电荷

机构

  • 13篇重庆光电技术...
  • 1篇中国航天标准...

作者

  • 13篇杨洪
  • 5篇白雪平
  • 5篇吕玉冰
  • 4篇翁雪涛
  • 3篇郑渝
  • 2篇李金
  • 2篇黄芳
  • 2篇李立
  • 2篇钟玉杰
  • 2篇雷仁方
  • 1篇祝晓笑
  • 1篇刘昌举
  • 1篇王振
  • 1篇周建勇
  • 1篇陈红兵
  • 1篇唐遵烈
  • 1篇张娜
  • 1篇程顺昌
  • 1篇高建威
  • 1篇李利民

传媒

  • 11篇半导体光电
  • 1篇红外技术
  • 1篇航天返回与遥...

年份

  • 3篇2025
  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种针对大像元CCD的电荷累积方法研究
2024年
提出了一种针对大像元CCD的电荷累积的方法,包括器件内垂直和水平方向像元结构细分与电荷包求和,以及驱动时序上的多相非等分驱动。其特点在于,通过时序与CCD图传感器结构的配合,实现了大电荷量在图像传感器内累积的功能,大幅提高了模拟信号动态。再将此方法应用到一款210μm×210μm的大像元CCD器件上,以此方法为架构搭建硬件电路并进行软件设计,通过采集成像和参数测试对方法效果进行验证。测试结果表明,在不损失转移效率的情况下,实现了CCD内信号累积和模拟输出的CDS采集成像,提高了满阱容量和动态范围。
袁世顺杨洪周建勇陈红兵王玉琳唐遵烈
关键词：CCD图像传感器
航天用图像传感器研究现状及发展趋势
2025年
相比于民用图像传感器,航天用图像传感器需要更高的精度、稳定性、可靠性和耐久性,需要适应极端的环境条件,如温度、压力和辐射等,所需材料特殊、结构复杂。近年来,航天用图像传感器取得了卓越的进步和发展,为大量航天任务进行光学测量提供了基础,被称为现代信息系统捕捉图像的“视网膜”。文章聚焦于航天用图像传感器,通过综合国内外文献和相关报道,着重介绍了CCD图像传感器和CMOS图像传感器(CIS)在航天遥感中的对地观测、对空观测以及航天器控制等应用方向的研究现状,探讨了航天用图像传感器所面临的挑战和发展趋势。
刘昌举焦金龙王振蒋祥倩杨洪吕玉冰
关键词：航天遥感CCD图像传感器CMOS图像传感器
1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器被引量：2
2023年
帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1024×1024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200 ke^(-),读出噪声小于等于80 e^(-),动态范围大于等于2000∶1。
钟玉杰杨洪易学东吴雪飞谷顺虎张娜
关键词：帧转移电荷耦合器件图像传感器
823×592元内线转移CCD图像传感器
2015年
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。
杨洪雷仁方郑渝吕玉冰翁雪涛
关键词：光电特性
一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析被引量：1
2014年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在（2.5～5.5）×1016 cm-3,结深应控制在5.5～6.5μm的结论。
杨洪李立吕玉冰白雪平
关键词：光电特性数值模拟
一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
2016年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
关键词：弥散特性数值模拟
一种具有开窗功能的行间转移CCD图像传感器被引量：2
2021年
设计制作了一款具有开窗功能的行间转移CCD,其阵列规模为640×480元,像素尺寸为7.4μm×7.4μm,可在4种窗口分辨率,即640×480元、228×480元、640×164元和228×164元下开窗工作,具备单、双通道输出信号功能,当器件窗口分辨率为228×164元、以双输出通道模式工作时,帧频能够达到500f/s,可以应用于高速目标识别领域。
杨洪李金白雪平任思伟袁世顺翁雪涛
关键词：高帧频电荷耦合器件图像传感器
1920×1080元高灵敏行间转移CCD图像传感器
2025年
为解决小像元行间转移电荷耦合器件(ITCCD)的电荷转换灵敏度低以及强光照射下出现的光晕问题,对行间转移CCD器件拓扑结构、像元抗晕结构、片上读出电路以及工艺等技术进行研究,设计并研制了一款高清行间转移CCD图像传感器,器件有效阵列规模为1 920×1 080元,像素尺寸为7.4μm×7.4μm。测试结果表明,器件突破了1.0μm多晶硅栅长放大器设计及制作技术,器件电荷转换灵敏度可至22.4μV/e^(-),饱和电压输出为1 300 mV。为实现抗晕功能,器件采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底纵向抗晕结构,器件抗晕能力达200倍,可满足器件在复杂光照环境下高灵敏成像要求。
李金杨洪孙晨熊圆圆田智文
关键词：电荷耦合器件CCD图像传感器
400万像素低弥散内线转移CCD图像传感器
2025年
设计并研制了一款低弥散内线转移电荷耦合器件(ITCCD)图像传感器,其有效阵列规模为2 048×2 048元,像素尺寸为9μm×9μm。为降低器件弥散,采取了以下关键设计:首先,设计了垂直CCD p阱结构,通过在垂直CCD埋沟周围形成阻挡势垒,有效抑制了光生电子扩散至垂直CCD;其次,在光敏区集成微透镜阵列,优化入射光的会聚效果,减少杂散光进入垂直CCD沟道的可能性;此外,在垂直CCD区域设计了挡光金属钨层,实现了对光敏区外垂直CCD的全面覆盖。经测试,该器件弥散性低达-82 dB,可满足器件正常使用要求。
程顺昌杨洪白雪平黄芳刘娅张庆炜
关键词：弥散微透镜电荷耦合器件图像传感器
一种昼夜兼容成像EMCCD图像传感器被引量：3
2023年
本文设计制作了一款阵列规模为1024×1024元、像元尺寸为10μm×10μm的昼夜兼容成像EMCCD(electron multiplying charge coupled device),该器件包含国内首次制作的浮置栅放大器,该放大器电荷转换因子(Charge to voltage factor,CVF)为3.57μV/e^(-),满阱55 ke^(-),能够非破坏性判断信号强度。该功能使得场景中微光照区域的像素可以选择性地路由至倍增通道输出,而强光照区域的像素会路由至非倍增通道输出,有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号重新组合,实现高动态成像。同时为了实现器件在强光应用场合的抗光晕功能,器件像元区域采用了纵向抗晕设计,抗晕倍数为200倍,基于此类器件制作的相机能够恰当地在暗视场中呈现明亮的图像。
白雪平钟玉杰杨洪郑渝何达易学东黄芳
关键词：图像传感器
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