陈俊岭
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 连续氩氪离子激光晶化非晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2013年
- 为了研究连续激光晶化非晶硅薄膜中激光功率密度对晶化效果的影响,利用磁控溅射法制备非晶硅薄膜,采用连续氩氪混合离子激光器对薄膜进行退火晶化,用显微喇曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜在5ms固定时间下不同激光功率密度对晶化效果的影响,并对比了普通玻璃片和石英玻璃两种衬底上薄膜晶化过程的差异。结果表明,在一定激光功率密度范围内(0kW/cm2～27.1kW/cm2),当激光功率密度大于15.1kW/cm2时,普通玻璃衬底沉积的非晶硅薄膜开始实现晶化;随着激光功率密度的增大,晶化效果先逐渐变好,之后变差;激光功率密度增大到24.9kW/cm2时,薄膜表面呈现大面积散落的苹果状多晶硅颗粒,晶粒截面尺寸高达478nm;激光功率密度存在一个中间值,使得晶化效果达到最佳;石英衬底上沉积的非晶硅薄膜则呈现与前者不同的结晶生长过程,当激光功率密度为19.7kW/cm2时,薄膜表面呈现大晶粒尺寸的球形多晶硅颗粒,并且晶粒尺寸随着激光功率密度的增大而增大,在27.1kW/cm2处晶粒尺寸达到最大5.38μm。研究结果对用连续激光晶化法制备多晶硅薄膜的研究具有积极意义。
- 周德让段国平陈俊岭韩俊鹤黄明举
- 关键词：多晶硅激光功率密度衬底
- 激光波长对非晶硅薄膜晶化效果的影响被引量：3
- 2013年
- 为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si)薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶化,在5ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究在不同激光功率密度下薄膜晶化后的特性。结果表明,a-Si薄膜的晶化阈值随着波长的增大而增大,当波长为458nm时薄膜晶化阈值为13.2kW/cm2,波长为647nm时,晶化阈值为19.2kW/cm2;在激光功率密度范围为0~27.1kW/cm2内,薄膜的最大晶化率受波长的影响相对较小,但总体也随着波长的增大而呈增大趋势,当波长为647nm时,在激光功率密度26.5kW/cm2处,晶化率达到最大值75.85%。
- 周德让段国平陈俊岭韩俊鹤黄明举
- 关键词：波长晶化率
