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陶玉美

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 3篇导体
  • 3篇电荷
  • 3篇电荷平衡
  • 3篇屏蔽导体
  • 3篇屏蔽电极
  • 3篇阻挡层
  • 3篇静电
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电极
  • 2篇引出电极
  • 1篇源极

机构

  • 6篇杭州士兰集成...

作者

  • 6篇杨彦涛
  • 6篇陶玉美
  • 3篇陈琛
  • 3篇赵学锋
  • 3篇汤光洪
  • 3篇罗永华

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
文献传递
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，半导体衬底为第一掺杂类型，多个沟槽包括分别位于半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；位于第一沟槽和第二沟槽中的分裂栅结构；至少一部分...
杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、栅极导...
杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层上第二介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成分裂栅结构；在第三沟槽中形成屏蔽布线；在所述半导体衬底中体区；在所述体区中形成源区；以及形成分别与所述源区、源极导...
杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美
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