刘帅
- 作品数：66 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
- 2018年
- 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
- 杨鹏杨琦刘帅
- 晶体管结构和放大器电路
- 本发明提供一种晶体管结构和放大器电路，涉及射频技术领域。该晶体管结构包括：多个漏极模块、多个源极模块、多个栅极模块、多个栅偏压焊盘、栅射频焊盘、漏极焊盘和源极焊盘；漏极模块与源极模块交错排列，且排列结构的外侧为源极模块，...
- 刘帅许春良马福博杨卅男张翊王佳佳范一萌
- GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统
- 本发明提供一种GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统，属于微电子技术领域。该GaN幅相控制多功能芯片包括输入端口、输出端口、分布式电流复用放大器、移相器、第一隔直电容和第二隔直电容；分布式电流复用放大器包括第一开关管、第二...
- 马瑞许春良刘帅李远鹏刘志军李富强张滨王丹阳刘卫乾
- 一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法
- 本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括：多个依次串联的延时模块；每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元，其...
- 高显侯伦刘帅武世英郭丰强刘海峰苏辰飞梁家铖刘方罡王杰高晓冲李帅苏鹏生李艳玲胡占祥
- 一种具有抗高驻波能力的功率放大器
- 本申请提供一种具有抗高驻波能力的功率放大器，涉及半导体、微电子及微波技术领域。功率放大器包括功率分配端网络、功率合成端网络和2<Sup>n</Sup>个子放大器单元，功率分配端网络、相对应的子放大器单元和功率合成端网络依...
- 王会智游恒果樊渝刘帅许春良
- 一种波导滤波器
- 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设...
- 张韶华王胜福李宏军汪晓龙王小维刘帅周伟张梓福
- 文献传递
- 焊料清除工装
- 本发明提供了一种焊料清除工装，属于内导体加工技术领域，焊料清除工装包括：机架、第一夹持装置、驱动件、第二夹持装置、控制组件和磨削装置。驱动件与第一夹持装置传动连接，用于带动第一夹持装置转动。第二夹持装置与第一夹持装置间隔...
- 杨树国左国森张辉韩康达孙涛李焰峰刘帅赵玮胡文浩张超胡惠东谢娜赵亚梦
- 文献传递
- 一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法
- 本发明提供一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法，涉及延时器技术领域。本发明通过设置延时微调单元，可以在芯片制造完成后，依据实测延时量的差异，在片上进行延时调整。延时微调单元包括多个不同长度的传输线，具有多个不同延时量...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳
- 一种多枝节滤波器
- 本发明公开了一种多枝节滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一排胶结构，第一屏蔽层包括中间体和枝节体，枝节体的一端与所述中间体相连；中间支撑层，为与第一屏蔽层的结构相同的框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第...
- 张韶华王胜福李宏军汪晓龙王小维刘帅周伟张梓福
- 文献传递
- V波段3W GaN功率放大器MMIC被引量：3
- 2021年
- 以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出。经测试,在55~65 GHz频带内,漏极工作电压+20 V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20%、脉宽100μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22%;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W。
- 刘如青刘帅高学邦付兴中
- 关键词：V波段氮化镓功率放大器连续波
