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周晔
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86
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深圳大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
医药卫生
理学
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合作作者
周黎
深圳大学
闫岩
深圳大学
王俊杰
深圳大学
葛磊
深圳大学
张猛
深圳大学
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深圳大学
作者
86篇
周晔
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周黎
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闫岩
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王俊杰
3篇
葛磊
2篇
陈雪
2篇
张猛
1篇
黎冰
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2023
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2022
8篇
2021
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12篇
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13篇
2018
11篇
2017
1篇
2016
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基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用
本发明公开了基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用,其中,多级阻变存储器从下至上依次包括:基底、透明底电极、CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿阻变层和顶电极。本发明将CsPbBr<Sub>3</Sub>钙...
韩素婷
王燕
周晔
王展鹏
陈锦锐
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一种湿度敏感的忆阻器及其制备方法与应用
本发明涉及电子科学技术领域,本发明公开了一种湿度敏感的忆阻器及其制备方法与应用,所述湿度敏感的忆阻器包括衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和第二电极之间的介质层;其中,所述介质层的材料为湿...
吕子玉
韩素婷
周晔
王燕
翟永彪
杜裕进
易泽庄
一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管,其中,自下而上依次包括:衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极,所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成,所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成,所述金属氧化物薄膜...
周晔
王燕
韩素婷
廖秋凡
吕子玉
周黎
文献传递
一种基于MXene电极的半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种基于MXene电极的半导体器件及其制备方法,所述半导体器件结构包括自下而上:基底材料、MXene导电薄膜、半导体层和顶电极层。本发明将现有技术中常用于减小费米钉扎的半导体‑介质层‑电极的三层结构变为半导体...
周晔
丁光龙
韩素婷
文献传递
一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物
本发明涉及一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物。本发明主要采用将金属源、衬底以及有机源放入化学气相沉积反应器中,所述衬底设置在所述金属源上方,采用化学气相沉积法,在所述衬底表面生成二维金属有机框架材料。本发明采用化学...
周晔
周奎
韩素婷
文献传递
一种闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种闪存器件及其制备方法,所述闪存器件包括:基底;栅极,位于所述基底上方;绝缘层,位于所述栅极上方;浮栅层,位于所述绝缘层上方;隧穿层,位于所述浮栅层上方;半导体层,位于所述隧穿层上方;以及源极和漏极,分别位...
周晔
张晨
韩素婷
文献传递
一种浮栅晶体管存储器及其制备方法
本发明公开了一种浮栅晶体管存储器及其制备方法,所述浮栅晶体管存储器,包括柔性基板,以及自下而上设置在所述柔性基板上的漏源电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层及栅极;所述漏源电极及栅极均为柔性电极;所述浮栅层由单层二硫化...
韩素婷
毛靖宇
周晔
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一种基于铁酸铋纳米颗粒的阻变式存储器及其制备方法
本发明公开一种基于铁酸铋纳米颗粒的阻变式存储器及其制备方法,其中,包括柔性基底以及从下至上依次设置在柔性基底上的底电极、第一聚合物层、铁酸铋功能层、第二聚合物层和顶电极;第一聚合物层和第二聚合物层与铁酸铋功能层结合具有极...
周晔
李宗晓
韩素婷
文献传递
一种多级阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种多级阻变存储器及制备方法,其中,多级阻变存储器从下至上包括:刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。本发明采用ZnSe/ZnS核壳量子点薄膜单独作为阻变层,ZnSe和ZnS的最高占据分...
周晔
韩素婷
王展鹏
王燕
陈锦锐
文献传递
一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法
本发明公开一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法,包括基底、依次叠设在所述基底上的第一电极层、活性层以及第二电极层,所述活性层材质为自氧化的二维MXene材料或二维MXene材料与阻变材料的混合物;所述阻变材料...
周晔
丁光龙
杨林
韩素婷
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