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张东华
作品数:
53
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供职机构:
TCL集团股份有限公司
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相关领域:
电子电信
艺术
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合作作者
李乐
tcl集团股份有限公司
张滔
tcl集团股份有限公司
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空穴传输层
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纳米金属
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纳米金属氧化...
8篇
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底电极
7篇
形状记忆
7篇
形状记忆聚合...
机构
53篇
TCL集团股...
作者
53篇
张东华
52篇
李乐
51篇
张滔
年份
4篇
2020
29篇
2019
7篇
2018
13篇
2017
共
53
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墨水及其制备方法与应用、及薄膜晶体管的制备方法
本发明公开一种墨水的制备方法,包括如下步骤:提供第一溶液,所述第一溶液包括:摩尔浓度为0.01‑0.1 mol/L的镓离子、摩尔浓度为0.1‑0.5 mol/L的铟离子、摩尔浓度为0.1‑0.5 mol/L的锌离子、摩尔...
辛征航
向超宇
李乐
张滔
张东华
邓天旸
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顶发射量子点发光场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种顶发射量子点发光场效应晶体管,包括从上往下依次设置的发光单元和用于控制所述发光单元电流的电容单元,所述电容单元为硅基FET,包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层和第二电极;所述发光单元为顶发射量子点发光器件...
辛征航
向超宇
李乐
张滔
张东华
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一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法
本发明公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法,方法包括步骤:制备印章基架,所述印章基架的材料为形状记忆聚合物;将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱;将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合,得到复合印章...
张滔
向超宇
李乐
辛征航
张东华
邓天旸
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量子点转印方法
本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点转印方法,包括如下步骤:提供印章,所述印章的印面凸起部设置有形变嵌入体,所述形变嵌入体由含有形状记忆聚合物的材料制成的初始嵌入体经形变处理得到;提供设置在供体基底表面的量子点初...
张滔
向超宇
李乐
辛征航
张东华
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顶发射QLED器件及其制备方法
本发明提供了一种顶发射QLED器件,包括依次设置的基板、图案化像素电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极,所述电子传输层和所述量子点发光层之间层叠设置有传输中间层,所述图案化像素电极的像素电极之间设...
张滔
向超宇
李乐
辛征航
张东华
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一种复合墨水及其制备方法、器件
本发明公开一种复合墨水及其制备方法、器件,其中,所述复合墨水包括分散在醇类溶剂中的纳米金属颗粒、高分子材料以及P型纳米金属氧化物颗粒。所述复合墨水粘度、表面张力以及沸点等物理性能能够满足现在的喷墨打印设备,并且所述复合墨...
向超宇
邓天旸
李乐
张滔
辛征航
张东华
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一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法
本发明公开一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法,方法包括步骤:步骤A、制作BZO玻璃;步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀;步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割,得到所需尺寸的BZO玻...
张东华
向超宇
李乐
辛征航
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一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开一种具有陷光结构的量子点发光二极管器件及其制备方法,所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极,其特征在于,所述衬底采用具有陷光结构的BZO玻璃。本发明...
张东华
向超宇
李乐
辛征航
张滔
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一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法,其方法包括步骤:量子点发光单元的制备:在漏极上依次制备空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和源极;电容单元的制备:在上述制备的源极上依次制备绝缘层和栅极。本发明采用...
辛征航
向超宇
李乐
张滔
张东华
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一种柔性全无机QLED器件及其制备方法
本发明公开一种柔性全无机QLED器件及其制备方法,所述制备方法包括步骤:在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极;采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层;在所述空穴传输层上沉积量子点发光层;在所述量子点发光层上沉积电...
李乐
向超宇
张滔
辛征航
张东华
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